Мікропластичні властивості приповерхневих шарів кристалів кремнію
Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
Подобные документы
- 51. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Теоретичне й експериментальне вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі кристиалічного кремнію. Збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво.
автореферат, добавлен 19.06.2018Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
автореферат, добавлен 20.07.2015Комплексне теоретичне та експериментальне дослідження структурних і електрофізичних характеристик багатофазних шаруватих систем на основі кремнію, а також впливу віддзеркалювальних шарів на властивості фотоперетворювальних і транзисторних композицій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Вирішення проблеми встановлення закономірностей фізичних процесів низькотемпературного формування структури приповерхневих шарів твердих тіл під впливом атомно-іонних потоків. Структурні властивості матеріалів. Створення комплексу математичних моделей.
автореферат, добавлен 28.09.2014Аналіз залежності фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації за різних радіусів пор та середніх відстаней між ними. Дослідження впливу неоднорідності розмірів пор на фотопровідність поруватого кремнію. Виготовлення сенсорних пристроїв.
статья, добавлен 10.12.2016Розробка підходів і методів математичного моделювання поведінки структурно-неоднорідних металічних тіл в умовах дії зовнішніх силових фрикційних навантажень. Оцінка впливу структурних параметрів на напружено-деформований стан приповерхневих шарів.
автореферат, добавлен 26.08.2015Вивчення ефектів вібронної взаємодії в складних кристалах, потенційно придатних для створення ефективних люмінофорів і сцинтиляторів. Дослідження у широкому температурному діапазоні оптико-спектральних характеристик та інших властивостей кристалів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014Вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів SiOx/SiNx та поруватого кремнію на ефективність сонячних елементів. Розробка методу керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Бреггівським дзеркалом.
автореферат, добавлен 25.07.2015Формування структурного стану кристалів заліза в умовах імпульсної лазерної обробки. Фізичні властивості перекристалізації сплавів. Вплив енергетичних параметрів імпульсного лазерного випромінювання на формування хвилястої мікрогеометрії поверхні.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 63. ЕПР перехідних іонів в кристалах з структурою перхлорату гексагідрату: ефекти температури і тиску
Дослідження спектрів та аналіз параметрів спінових гамільтоніанів. Характер викривлень лігандного оточення парамагнітного іону в кристалах фторборатів і перхлоратів. Аналіз наростання розупорядкування при азотній та при кімнатній температурах.
автореферат, добавлен 28.08.2014 Встановлення впливу технологічних факторів на процеси формування ростового забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськиту. дослідження ролі домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- і термоіндукованих процесах.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Аналіз властивостей і особливостей структуроутворення композиційного матеріалу алмаз-SiC під час виготовлення композита з оптимальною мікроструктурою. Залежність рівня псевдомакронапружень і мікронапружень від концентрації карбіду кремнію в композиті.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження електромеханічного перетворення та існуючих методів та теорій даного явища. Аналіз релаксаційних процесів у різних фазах сегнетоелектричних рідких кристалів. Дослідження електромеханічного зв'язку та параметричних ефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 11.08.2015Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Фізичні механізми фазових перетворень, викликаних зміною структурного стану кисню, що відбуваються при стимульованому створенні кремнієвих нановключень в оксидній матриці і на початковому етапі термічного окислення кремнію. Стан кисню в перехідному шарі.
автореферат, добавлен 01.08.2014Розробка способів створення тонких рідких прошарків і методики контролю їх товщини. Умови формування приповерхневих структурованих шарів в надтонких прошарках немезогенів. Вплив мікроструктури поверхні підкладки на параметри епітропної фази немезогенів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Встановлення природи фазового переходу в кристалах слабкого сегнетоелектрика гептагерманата літію (LGO). Процеси поляризації в кристалах LGO. Вплив зовнішніх факторів на поведінку діелектричної проникності в районі температури фазового переходу.
автореферат, добавлен 29.08.2013Взаємозв'язок інтегральних характеристик динамічного розсіяння Х-променів, температурних спектрів поглинання пружної енергії зі змінами дефектної структури опромінених монокристалів кремнію високоенергетичними електронами в процесі природного старіння.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014Оцінка ролі іонів у радіаційно-стимульованих процесах в сцинтиляційних кристалах CsI, CsI(Na) і CsI(Tl). Процеси радіаційного дефектоутворення в напівпровідниках. Утворення центрів свічення та центрів забарвлення в сцинтиляційних кристалах йодиду цезію.
автореферат, добавлен 24.02.2014