Исследование движения иглы туннельного микроскопа относительно поверхности
Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.
Подобные документы
Взаимодействие электронного зонда с образцом. Принципиальные основы работы растрового электронного микроскопа. Особенности подготовки образцов и режимов исследования для получения максимальной разрешающей способности. Режим Y-модуляции; подавление шумов.
статья, добавлен 30.11.2018Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Методы и приборы для получения качественных характеристик фотонных кристаллов. Полуконтактный, бесконтактный и контактный режим работы атомно-силового микроскопа. Принцип действия конфокального микроскопа. Формирование электронно-оптических изображений.
курсовая работа, добавлен 06.10.2017Исследование электронных, атомных и молекулярных процессов, происходящих на поверхности твердых тел. Принцип работы сканирующего зондового микроскопа. Основная область применения СТМ. Изготовление тонких атомногладких острий-зондов и их диагностика.
презентация, добавлен 29.09.2013- 30. Зворыкин Владимир Кузьмич, изобретение электронного микроскопа и передающей телевизионной трубки
Краткая биография В.К. Зворыкина русско-американского инженера, изобретателя современного телевидения. История создания приемно-телевизионной трубки с электростатической фокусировкой. Особенности изобретения электронного микроскопа с Дж. Хиллиером.
реферат, добавлен 02.12.2014 - 31. Коэффициенты туннелирования электронов через потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы
Аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения электронов через потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы. Сравнение зависимостей величины коэффициента от энергии электронов для барьеров с двумя значениями толщины и высоты.
статья, добавлен 21.06.2018 Суть метода когерентной волноводной оптической микроскопии, основанный на явлении волноводного рассеяния света. Схема волноводного оптического микроскопа. Двумерные диаграммы рассеяния (функции отклика) волноводного оптического микроскопа в дальней зоне.
статья, добавлен 07.11.2018Особенности становления квантовой механики и ее предмета. Основные принципы квантово-механического описания. Квантово-механическое объяснение туннельного эффекта с позиций классической физики. Отличия статистических закономерностей от динамических.
реферат, добавлен 18.04.2015Ознакомление с механизмом альфа-распада и процессом туннельного перехода. Рассмотрение одномерного прямоугольного потенциального барьера и решение уравнения Шрёдингера. Определение роли центробежного барьера и его связи с характером движения частиц.
презентация, добавлен 28.03.2014Изучение туннельного эффекта и многофотонной ионизации в переменном электрическом поле. Вычисление импульсного распределения и вероятности процесса ионизации двумерной и трехмерной квантовой ямы суперпозицией постоянного и переменного электрических полей.
курсовая работа, добавлен 14.03.2016Метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Отличие неравновесного от равновесного распределения Ферми-Дирака.
статья, добавлен 26.06.2016Преодоление частицей энергетического барьера. Развитие электроники. Теория туннельного эффекта. Туннелирование электронов в твердых телах. Квантовые транзисторы. Условие максимума пропускания. Туннельный диод. Движение частицы из одной орбитали в другую.
дипломная работа, добавлен 30.09.2008Энергетические зоны примесей и дефектов. Локализация электронных состояний на дефекте структуры. Теория туннельного эффекта. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннелирование электронов в твёрдых телах. Работа квантового транзистора.
контрольная работа, добавлен 23.04.2024Главный анализ плотности тока на расстоянии от центра полушарового электрода. Характеристика напряженности поля на поверхности полусферы радиуса. Сопротивление заземления и значение потенциалов в точках на поверхности земли электрического проводника.
задача, добавлен 16.09.2014Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Построение микроскопической модели резонансно-туннельного транспорта в полупроводниковых сверхрешетках со слабой туннельной связью. Исследование влияния магнитного поля произвольной ориентации на процессы резонансного туннелирования в сверхрешетках.
автореферат, добавлен 18.11.2018Предназначение растрового электронного микроскопа как прибора для получения изображения поверхности объекта с высоким пространственным разрешением, информации о строении и свойствах приповерхностных слоев. Получение изображений в отраженных электронах.
курсовая работа, добавлен 03.05.2019Изучение принципов работы просвечивающего электронного микроскопа и идентификации веществ по их дифракционным картинам. Гипотеза Де Бройля о наличии у частиц вещества волновых свойств. Расчет электронограммы, дифракционная картина на кристаллах никеля.
лабораторная работа, добавлен 28.05.2015Оптическая схема и принцип действия оптического микроскопа. Основные виды микроскопов, пределы их общего увеличения. Характеристика методов наблюдения при оптической микроскопии. Методы светлого (в отраженном свете) и темного (в проходящем свете) полей.
реферат, добавлен 15.09.2017Рассмотрение устройства растрового электронного микроскопа. Особенности взаимодействия электронного пучка с веществом на поверхности мишени-образца. Изучение основных механизмов формирования и обработки изображения в растровом электронном микроскопе.
лекция, добавлен 21.03.2014Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
статья, добавлен 21.06.2018Квантовые явления, имеющие отношение к атомной физике. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер конечной ширины. Прямоугольный потенциальный барьер. Примеры туннельного эффекта. Холодная эмиссия металлов. Потенциальная яма конечной глубины.
реферат, добавлен 20.10.2014Рассмотрение истории создания сканирующего зондового микроскопа. Изучение микрофлоры воды с помощью микроскопии. Туннельный эффект зонда - квантовое явление проникновения микрочастицы из одной доступной области движения в другую, отделённую барьером.
реферат, добавлен 14.12.2015Анализ хронологии развития микроскопии. Строение и принцип работы оптического микроскопа. Исследование контраста изображения и разрешающей способности прибора с сильно увеличивающими стеклами. Особенность измерения размеров микроскопических объектов.
реферат, добавлен 29.05.2016