Исследование полевого транзистора с управляющим p–n-переходом

Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.

Подобные документы

  • Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.

    статья, добавлен 24.02.2019

  • Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.

    методичка, добавлен 13.08.2013

  • Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.

    статья, добавлен 20.08.2013

  • Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.

    курсовая работа, добавлен 25.05.2013

  • Оценка зарядовой стабильности одноэлектронного полевого транзистора на молекуле бензола в качестве проводящего канала в режиме кулоновской блокады. Вычисление энергии заряда молекулы по теории функционала плотности, модель ее взаимодействия со средой.

    статья, добавлен 16.11.2017

  • Расчет высокочастотных параметров полевого транзистора по схеме с общим истоком. Составление и электрический расчет принципиальной схемы приемника. Определение резонансных усилителей радиочастоты с частотно-независимой связью контура с нагрузкой.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2014

  • Графическое определение малосигнальных параметров транзистора в окрестностях рабочей точки. Определение предельных частот транзистора. Построение нагрузочной прямой транзистора по переменному току. Выбор резисторов в схеме усилительного каскада.

    курсовая работа, добавлен 19.09.2011

  • Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.

    курсовая работа, добавлен 21.02.2018

  • Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.

    лабораторная работа, добавлен 27.12.2014

  • Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.

    реферат, добавлен 27.11.2013

  • Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.

    реферат, добавлен 06.12.2015

  • Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.

    контрольная работа, добавлен 16.09.2013

  • Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.

    реферат, добавлен 10.03.2016

  • Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.

    статья, добавлен 21.10.2016

  • Рассмотрение эквивалентной схемы полевого транзистора. Общая характеристика основных принципов проектирования многоканальных СВЧ переключателей с полупроводниковыми элементами. Знакомство с частотными характеристиками двухканального переключателя.

    автореферат, добавлен 30.10.2018

  • Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 01.05.2011

  • Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.

    реферат, добавлен 11.01.2012

  • Транзистор с каналом р-типа. Входное сопротивление полевого транзистора. Определение коэффициента усиления усилителя. Влияние отрицательной обратной связи. Зависимости энергии электрона от координаты. Схематичные изображения МОП с индуцированным каналом.

    лекция, добавлен 26.10.2013

  • Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.

    курсовая работа, добавлен 16.12.2012

  • Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.

    учебное пособие, добавлен 26.05.2014

  • Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.

    курсовая работа, добавлен 18.04.2016

  • Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.

    курсовая работа, добавлен 18.01.2016

  • Выбор типа приводного двигателя в лифтах. Технические параметры выбранного полевого транзистора - КП723А. Схема подключения активной (индуктивной) нагрузки. Требования к тормозам лифтовых лебедок. Внешний вид магниточувствительного датчика MS FE3A6-41-L.

    курсовая работа, добавлен 01.04.2020

  • Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.

    контрольная работа, добавлен 25.04.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.