Твердотельная электроника
Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
Подобные документы
Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Методы поиска неисправностей. Назначение и составные части аппарата для терапии постоянным электрическим полем. Проверка работоспособности радиоэлементов с помощью контрольно-измерительных приборов. Проверка и замена конденсаторов, диодов, тиристоров.
дипломная работа, добавлен 14.06.2017Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Электрическая энергия и ее подача к потребителям в виде трехфазного или однофазного переменного тока. Классификация диодов: выпрямительные, стабилитроны и стабисторы, универсальные и импульсные, варикапы, специфика туннельных и обращенных диодов.
реферат, добавлен 13.11.2014Классификация приборов М-типа. Принцип действия и статические характеристики магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. Спицы пространственного заряда. СВЧ-приборы со скрещенными полями и замкнутым электронным потоком.
реферат, добавлен 22.08.2015Выбор функциональной схемы электронного блока. Основание выбора элементарной базы замкнутой САУ с токовым контуром. Выбор транзисторов и диодов. Драйверы силовых транзисторов. Расчет тепловых потерь мощного ключа. Задатчик на базе терморезисторов.
курсовая работа, добавлен 24.12.2018Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Устройство и принципы работы приборов наноэлектроники: транзисторов на резонансном туннелировании и эффекте кулоновской блокады, цифровых переключающих приборов на атомных и молекулярных шнурах. Усовершенствование традиционной элементной базы электроники.
презентация, добавлен 24.05.2014Физические основы действия полупроводниковых приборов. Техника безопасности при выполнении лабораторных работ. Оформление отчета по работе. Анализ свойств операционных усилителей. Микросхемы базовых логических элементов. Цифровые микросхемы триггеров.
методичка, добавлен 23.06.2013Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Расчет дискретного силового тиристора. Расчет параметров конструкции тиристора. Расчет диаметра тиристорного элемента и выбор конструкции корпуса. Расчет основных параметров тиристоров. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
курсовая работа, добавлен 29.09.2017Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
лекция, добавлен 06.09.2017Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Конструкция индикаторных 5 мм светодиодов. Маркировка и виды корпусов светодиодов. Напряжения питания и сила тока - их главные характеристики. Принцип последовательного и параллельного включения светодиодов. Отличительные качества мигающих светодиодов.
реферат, добавлен 30.08.2012Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.
курсовая работа, добавлен 26.11.2008Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
презентация, добавлен 20.07.2013Электронные приборы для анализа характеристик сигналов и схем. Электронно-лучевые осциллографы. Структурные схемы анализаторов спектра. Электромеханические, показывающие, регистрирующие, регулирующие и электронные приборы. Электродинамические приборы.
курсовая работа, добавлен 04.09.2011