Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току та формули їхнього розрахунку. Основні фізичні характеристики, параметри та основні типи фотоприймачів. Застосування і перспективи фотоприймачів у різних галузях побуту та виробництва.
Подобные документы
Визначення та класифікація конденсаторів, їх позначення за нормативними документами в Україні. Будова і принцип дії дискретного радіокомпоненту, його характеристики і параметри, області застосування. Сучасні досягнення і перспективи розвитку пристрою.
реферат, добавлен 11.03.2015Характеристика, види та переваги манометричних термометрів. Історія та загальний опис терморезистора, основні параметри роботи пристрою. Принцип дії, основні типи та характеристики термопари. Термометри опору та схеми підключення в них тензорезисторів.
реферат, добавлен 15.06.2015Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016Технічні характеристики та види сучасних комп'ютерних моніторів. Історія створення рідкокристалічного дисплея, його фізичні й електричні властивості. Цифрові й аналогові інтерфейси передачі відеосигналу. Класифікація та особливості різних ЖК матриць.
курсовая работа, добавлен 07.10.2021Сучасні пристрої з зарядовим зв'язком (ПЗЗ) та способи підвищення їх чутливості. Принцип ПЗЗ-матриці, типи твердотільних фотоприймачів. Класифікація телевізійних камер, підвищення їх чутливості на ПЗЗ. Телевізійна камера з накопиченням зображення.
дипломная работа, добавлен 12.09.2012Особливості та принцип дії цифрового пристрою, що проектується. Його структурна електрична схема. Основні параметри генерації сигналів. Вибір елементів блоків індикації, генератора опорних частот, вибору межі вимірювання. Параметри функціональних вузлів.
курсовая работа, добавлен 27.11.2018Рупорна антена як хвилевід із плавно змінюючимся перерізом. Основні типи, якості цього типу пристроїв. Особливості розрахунку їх геометричних розмірів. Параметри діаграми направленості і КНД Н-секторіального рупора. Розрахунок профілю сповільнюючої лінзи.
контрольная работа, добавлен 13.03.2013Конструкція, основні види польових транзисторів. Залежність електропровідності напівпровідників від виду домішок. Фізичні процеси в електронно-дірковому переході. ЕДП при зворотньому вмиканні зовнішньої напруги. Вольт-амперна характеристика р-n-переходу.
реферат, добавлен 25.12.2016Класифікація (радіокристалічні, іонні, дипольні), основні властивості та технічні характеристики сегнетоелектриків. Мікроскопічний механізм спонтанної поляризації, застосування оптичних кристалів та п'єзоелектричних перетворювачів в електроніці.
реферат, добавлен 08.11.2015Проблеми прийому і обробки сигналів в інфрачервоній частині спектру з великою роздільною здатністю, чутливістю в реальному масштабі часу, аналіз шляхів побудови та розробка конструкцій високонадійних пристроїв зчитування інформації у фокальній площині.
автореферат, добавлен 22.07.2014Аналіз побудови радіотрактів багаточастотних широкосмугових сигналів. Основні параметри фізичного рівня стандарту 802.11a. Математичний опис сигналів фрейму. Допустимі помилки в амплітуді при модуляції. Оцінка завадостійкості: параметри, що оцінюються.
дипломная работа, добавлен 02.10.2014Поняття моніторів, їх види та характеристики. Переваги рідкокристалічних моніторів та недоліки LCD-дисплеїв. Основні характеристики монітор ІВ: розмір, роздільна здатність. Основні компоненти відеосистеми: BIOS, графічний процесор. Програма DisplayMate.
дипломная работа, добавлен 02.02.2013Класифікація одномодових волоконних світловодів згідно з новітніми рекомендаціями ITU-T. Формули розрахунку електродинамічних характеристик одномодових оптичних волокон (ОМОВ). Регламентовані рекомендаціями ITU-Т норми на передавальні характеристики ОМОВ.
статья, добавлен 30.07.2016Описание принципиальной схемы широкополосного RC-усилителя. Расчет элементов схемы, коэффициента усиления по току и сопротивления передачи. Построение амплитудно-частотной характеристики. Проверка расчета по постоянному току с помощью компьютера.
курсовая работа, добавлен 15.05.2015Аналіз розподілу потенціалу в контактних структурах. Залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур. Широкосмугове перестроювання частоти, стабільність частоти в діапазоні 100–1000 ГГц, генерація шумових коливань.
автореферат, добавлен 24.07.2014- 16. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Розробка теоретичних і технологічних засад кінематичної фотограмметрії при використанні цифрових знімальних систем. Засоби і процедура реєстрації просторового положення знімальної апаратури. Апробація методик в різних галузях науки та виробництва.
автореферат, добавлен 14.09.2014Структура кабельної лінії та її характеристика. Основні параметри системи передачі К-1920. Характеристика елементів конструкції кабелю, його ескіз. Первинні та вторинні параметри передачі коаксіального кабелю. Розрахунок активного опору провідників.
курсовая работа, добавлен 06.11.2016Електрооптичні та фотовольтаїчні елементи мікроелектроніки на основі нанорозмірних плівок електропровідних полімерів поліортометоксианіліну. Термовакуумне напилення молекулярних напівпровідників. Фоточутливі гетероструктури та їх фізичні властивості.
автореферат, добавлен 25.09.2015Проекційні апарати - оптичні пристрої, що утворюють на екрані збільшені зображення об'єктів. Основні елементи проекторів: лампа, рефлектор, конденсор, об'єктив. Апарат для демонстрації діапозитиву, діафільму, епіпосібника, кодопосібника. Ремонт приладів.
курсовая работа, добавлен 18.02.2011Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.
контрольная работа, добавлен 12.05.2016Теорія і практика застосування електронних, іонних і напівпровідникових приладів у пристроях, системах і установках. Освоєння та використання ультракоротких хвиль. Частотні властивості варикапів, принцип дії, схеми включення та основні характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.11.2014Дослідження низькотемпературного транспорту носіїв заряду і деформаційно-стимульованих ефектів в алмазоподібних напівпровідниках. Аналіз впливу магнітного поля на зміну механізму транспорту носіїв заряду в кремнії та германії за низьких температур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Розкриття ключових аспектів комунікації в Інтернет-середовищі, а також виявлення викликів та перспектив, пов’язаних з мовними аспектами цього процесу. Основні риси та характеристики Інтернет-комунікації. Технологічні платформи для отримання інформації.
статья, добавлен 05.12.2023Дослідження методів цифрової обробки звукових фонограм з метою заглушення широкополосного шуму стосовно до фонограм раритетних носіїв запису. Застосування частотно-залежної динамічної обробки в дуже зашумлених фонограмах для поліпшення сприйняття сигналу.
статья, добавлен 29.01.2019