Влияние электрического поля контакта с барьером Шоттки на перераспределение примесных атомов в полупроводнике
Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
Подобные документы
Анализ влияния концентрации нанокластеров примесей марганца на условия возбуждения и параметров автоколебания тока в кремнии в условиях сильной компенсации. Создание нового поколения высокочувствительных многофункциональных датчиков физических величин.
статья, добавлен 23.02.2021Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Напряженность электрического поля как векторная физическая величина. Особенности процесса ионизации при столкновении атомов с электроном. Сущность теоремы Гаусса в интегральной форме. Ротор – одно из понятий математической теории векторных полей.
контрольная работа, добавлен 15.05.2016История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Методы кристаллизационной очистки в технологии очистки полупроводниковых материалов и металлов. Методы выращивания монокристаллов из расплавов. Метод Вернейля и Чохральского. Расчет кристаллизационной очистки в бинарных системах полупроводник-примесь.
курсовая работа, добавлен 01.01.2014Схема опыта Толмена и Стюарта. Упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Определение модуля заряда электрона. Порядок величины числа атомов в единице объема. Электронная теория проводимости металлов. Удельный заряд частиц.
статья, добавлен 02.04.2014Физические процессы на контакте "металл-полупроводник". Термоэлектронная эмиссия. Поверхностные состояния. Образования режимов обеднения, обогащения и инверсии в приповерхностном слое полупроводника. Зонные диаграммы, соответствующие этим режимам.
реферат, добавлен 18.11.2015Метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Отличие неравновесного от равновесного распределения Ферми-Дирака.
статья, добавлен 26.06.2016Изучение и анализ циркуляции вектора напряжённости электрического поля. Характеристика потенциала поля точечного заряда и системы зарядов. Рассмотрение эквипотенциальных поверхностей. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля.
реферат, добавлен 24.10.2013- 38. Эффект Холла
Эффектом Холла как возникновение поперечного электрического поля и разности потенциалов в проводнике или полупроводнике, по которым проходит ток, при помещении их в магнитное поле, перпендикулярное к направлению тока. Ход температурной зависимости.
курсовая работа, добавлен 25.02.2015 Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009Исследование электростатического поля и электрического сопротивления металлов. Определение горизонтальной составляющей напряженности магнитного поля земли. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Изучение термоэлектрических явлений.
учебное пособие, добавлен 29.09.2017Выходы портов в статическом режиме при низком уровне сигнала, их суммарный ток нагрузки. Обеспечения генерации тактовой частоты. Увеличение линий ввода-вывода микроконтроллера. Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ.
курсовая работа, добавлен 10.06.2014Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Результаты исследования изотермической релаксации темнового тока в тонких слоях стеклообразной системы As–Se. Расчет емкости контакта и оценка толщины слоя, соответствующего емкости контакта и напряженности электрического поля в приконтактной области.
статья, добавлен 12.05.2018Анализ режимов работы и функциональных возможностей устройств силовой электроники, выполненных на полностью управляемых ключах. Управление активной фильтрацией на основе элементов силовой электроники для решения проблем повышения качества электроэнергии.
автореферат, добавлен 08.02.2018Определение содержания понятий электрического поля и силы электрического взаимодействия между двумя зарядами. Определение поля, создаваемого неподвижным точечным зарядом. Схематическое изображение силовых линий электрического поля точечных зарядов.
презентация, добавлен 30.09.2020Понятие электрического поля Земли и атмосферы. История исследования атмосферного электричества. Сущность и особенности молнии. Описание методики измерения электрического поля Земли. Радиальная компонента межпланетного магнитного поля и поля земли.
реферат, добавлен 19.10.2016Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Взаимодействие электронов и ядер атомов молекулы. Электрический ток в веществах, находящихся в твердой фазе. Исследование перемещения электронов в твердых телах под действием электрического поля и при переходе проводника в сверхпроводящее состояние.
статья, добавлен 09.06.2018Особенности электронного туннелирования через неупорядоченные наноразмерные слои диэлектрика. Аналитические выражения для транспортных характеристик контактов металл–изолятор–металл с неоднородной диэлектрической прослойкой и универсальные соотношения.
статья, добавлен 25.03.2016