Кореляції структури, динамічної та променевої стійкостей широкозонних некристалічних напівпровідників
Структуроутворення ковалентної сітки зв'язків у складних халькогенідних некристалічних напівпровідниках при зміні складу та кореляція структури, динамічної та променевої стійкостей вздовж різних розрізів області склоутворення потрійної системи Ge-As-S.
Подобные документы
Адаптація процедур розв’язків зворотної задачі до особливостей некогерентного розсіяння в іоносферній плазмі за умов одно-, двох- і трьохкомпонентного іонного складу. Модернізація структури інформаційно-обчислювальної системи на базі радара розсіяння.
автореферат, добавлен 28.08.2014Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Композиційні особливості оптичних радіаційно-індукованих ефектів в стеклах досліджуваної потрійної системи As-Ge-S стехіометричного As2S3-GeS2 та нестехіометричного As2S3-Ge2S3 розрізів. Впливу підвищених температур на оптико-спектроскопічні особливості.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Проблеми встановлення закономірностей фізичних процесів низькотемпературного формування структури приповерхневих шарів твердих тіл під впливом атомно-іонних потоків. Комплекс математичних моделей для комп’ютерного моделювання процесів структуроутворення.
автореферат, добавлен 29.01.2016Особливості розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями. Визначення концентрацій азоту у квантових ямах і буферних шарах. Створення програмного забезпечення для розрахунку кривих дифракційного відбивання.
автореферат, добавлен 12.07.2014Встановлення закономірностей формування структури поверхневих шарів алюмінію технічної чистоти та сплавів системи Al-Si в умовах нерівноважної кристалізації, які досягалися при імпульсній лазерній обробці. Формування дисперсної квазіевтектичної структури.
автореферат, добавлен 26.09.2015Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014Аналіз динамічної біфуркації, при якій положення рівноваги диференціальної системи втрачає стійкість та встановлюється коливальний режим. Дослідження біфуркаційної системи на дисипативність та конвергентність за допомогою методу нормальних форм.
статья, добавлен 04.02.2017Розробка конструкцій та технологій виготовлення високонадійних з великим запасом електричної міцності тонкоплівкових електролюмінесцентних індикаторів з використанням одного з струмо-обмежуючих шарів керамічного шару з високою діелектричною проникністю.
автореферат, добавлен 11.08.2015Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017- 63. Просторові динамічні задачі механіки руйнування при врахуванні контактної взаємодії берегів тріщин
Метод побудови граничних інтегральних рівнянь у нелінійній постановці з використанням фундаментальних розв’язків динамічної теорії пружності. Характеристики механіки руйнування в залежності від напрямку розповсюдження та амплітуди гармонічної хвилі.
автореферат, добавлен 28.09.2014 Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Показано можливість комплексного дослідження електричних, оптичних та люмінесцентних характеристик широкозонних напівпровідників та діелектриків. Опис експериментальної комплексної установки для спектрально-люмінесцентних та опто-електричних досліджень.
статья, добавлен 29.09.2016Розробка нових методів, інформаційних технологій та технічних засобів на основі реєстрації та просторово-часової обробки параметрів акустичних або електромагнітних полів. Суть променевої томографії. Структура системи відновлення неоптичних зображень.
статья, добавлен 27.07.2016Визначення розмірів та складу елементів гетерогенної структури досліджуваних поліуретанових йономерів шляхом моделювання профілю йонних піків на кривих. Можливості регулювання мікрофазової структури його даних шляхом варіювання довжини жорсткого блоку.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження методом малокутового розсіяння нейтронів факторів, що впливають на стабільність магнітних рідинних систем. Оцінка поведінки молекул кислот, що використовуються для стабілізації ферофлюїдів. Вплив структури рідинної системи на її стабільність.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014Особливості зміни оптичних властивостей тонких шарів напівпровідника, спектрів комбінаційного розсіювання, механізм незворотних фотоструктурних перетворень. Визначення процесів селективного травлення, формуванні рельєфу голограмних оптичних елементів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження природи тонкої структури і впливу на неї елементів резонатора та ізотопічного складу робочої молекули. Вимірювання спектральних характеристик електророзрядного XeCl лазера та порівняти їх із спектрами спонтанного та вимушеного випромінювання.
автореферат, добавлен 28.08.2014Визначення обмінних параметрів і дослідження впливу зміни просторової структури водневих зв'язків на їх значення. Роль кристалографічної низьковимірності у формуванні магнітної структури досліджених сполук. Просторова структура обмінних взаємодій.
автореферат, добавлен 30.10.2015Закономірності формування електронно-енергетичної структури і характеру хімічних зв'язків у досліджуваній серії апатитоподібних сполук. Оцінка ефектів в еволюції структури валентних смуг і зарядових станів атомів залежно від типу допування 3d-металами.
автореферат, добавлен 29.08.2015Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Вплив динамічної взаємодії крапель зі стінкою та утворення осколків на інтегральні характеристики двофазової течії. Експериментальні дослідження зіткнення крапель різних розмірів в умовах дії аеродинамічних сил. Модель турбулентної газокраплинної течії.
автореферат, добавлен 28.06.2014