Рекомбінаційні, фотоелектричні і фотохімічні явища в широкозонних шаруватих кристалах і структурах, зумовлені складними дефектами при низькоенергетичних збудженнях
Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
Подобные документы
Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Загальна характеристика явища гігантського магнітного опору (ГМО). Експериментальні дослідження ефекту ГМО в багатошарових плівкових структурах. Явище ГМО в гранульованих сплавах. Теоретичні моделі ГМО. Структурно-фазовий стан плівкових систем з ГМО.
статья, добавлен 31.10.2010Аналіз електронного спектра (ЕС) шаруватої наногібридної структури. Зміни ЕС та густини електронних станів у шаруватих кристалах, що виникають при модуляції їх структури за рахунок утворення періодично розташованих пакетів із невеликої кількості шарів.
статья, добавлен 13.10.2016Дослідження електрофізичних і адсорбційних явищ при поширенні поверхневих акустичних хвиль. Розробка методів аналізу і врахування впливу випадкових відхилень топології зустрічно-штирьового перетворювача на характеристики акустоелектронних пристроїв.
автореферат, добавлен 22.02.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014Аналіз електронних станів на основі параметрів фотовідгуку у приповерхневій області широкозонних матеріалів (алмазні полікристалічні плівки), при взаємодії з випромінюванням інфрачервоного регіону. Взаємодія спектральних параметрів джерел випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами. Аналіз самоузгодженого електрон-деформаційного потенціалу, моделювання нелінійних деформаційно-дифузійних ефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013- 35. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Проведення теоретичного дослідження резонансних ефектів, що виникають при взаємодії елементарних збуджень в кристалах (квазічастинок) з плоскими дефектами. З'ясування зв'язку між квазілокальним станом всередині суцільного спектра та поверхневими хвилями.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 37. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Визначення критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах телуридів кадмію, ртуті в залежності від складу і рівня легування матеріалу. Встановлення процесів природної деградації кристалів КРТ n-типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013Показано можливість комплексного дослідження електричних, оптичних та люмінесцентних характеристик широкозонних напівпровідників та діелектриків. Опис експериментальної комплексної установки для спектрально-люмінесцентних та опто-електричних досліджень.
статья, добавлен 29.09.2016Оптимальні режими дифузії для створення легованих оловом шарів II–VI сполук, дослідження їх електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей. Спільні та відмінні риси характеру фізичних процесів у шарах, які зумовлені домішкою олова.
автореферат, добавлен 29.08.2015Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
автореферат, добавлен 24.07.2014- 43. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Будова, принцип роботи електронно-променевих і спектральних приладів (просвічуючі, растрові електронні мікроскопи, електронографи, рентгенівські апарати). Експериментальні методи дослідження будови, складу плівкових матеріалів. Розрахункові задачі.
учебное пособие, добавлен 17.12.2013Встановлення фізичних механізмів низькотемпературної пластичної деформації ряду нових кристалічних матеріалів. Виявлення особливостей поведінки (аномалій) їх механічних характеристик, обумовлених перебудовами атомно-кристалічної та електронної структури.
автореферат, добавлен 29.04.2014- 47. Елекрооптичні ефекти в структурах МДН - рідкий кристал, зумовлені перенесенням і накопиченням заряду
Взаємозв’язок процесів переносу і накопичення зарядів в структурах МДН-рідкий кристал з характеристиками електрооптичних ефектів, а також умови виникнення і релаксації нестійкостей орієнтованих нематиків в області пор діелектрика структур М-РК-Д-Н.
автореферат, добавлен 12.02.2014 - 48. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Аналіз низькочастотних коливальних характеристик кристалічних структур з комбінованими дефектами. Розрахунок фонових спектрів різних твердих розчинів при зміні концентрації домішок в широких межах. З'ясування природи додаткових резонансних піків.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження зміни положень дифракційних піків, їх профілів та відносних інтенсивностей в залежності від типу хаотично розташованих дефектів пакування, а також концентрації. Методика аналізу експериментальної дифракційної картини для визначення типу.
автореферат, добавлен 27.07.2014