Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

Дослідження закономірностей комплексного впливу рідкісноземельних і ізовалентних елементів на електрофізичні властивості епітаксійних шарів на основі GaAs у процесі їх вирощування методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії з розплавів галію.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.