Баричні ефекти та полікритичні явища в сегнетоактивних напівпровідниках групи A2IVB2VC6VI із неспівмірними фазами
Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
Подобные документы
Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження впливу метастабільних центрів в розчинах AlxGa1-xAs на явища переносу та резонансних рівнів домішкових станів у безщілинних напівпровідниках, зумовлюючих електронну кореляцію. Залишкова фотопровідність вище розташованих домішкових станів.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Методика дослідження закономірностей зміни структури та механічних властивостей сплавів системи титан-кремній. Обґрунтування впливу різної швидкості охолодження й легування цирконію на структуроутворення та фазовий склад титано-кремнієвих сполук.
автореферат, добавлен 20.07.2015Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Розробка дифрактометричної методики реєстрації розподілу інтенсивності рентгенівського випромінювання, розсіяного кристалами з багатошаровими структурами. Дослідження впливу швидкості охолодження на структуру сплавів кобальту з елементами заміщення.
автореферат, добавлен 27.12.2015Дослідження релаксації фотофізичних властивостей в плівках аморфних органічних напівпровідникових полімерів. Встановлення спектроскопії інфрачервоного поглинання, змін коливної структури аморфних молекулярних напівпровідників та допуючих їх фулеренів С60.
автореферат, добавлен 29.08.2015Визначення температурних полів на бічних поверхнях циліндра і шару, які лежать на жорсткій основі з круговою виїмкою, у випадку ізотропних матеріалів. Дослідження впливу контактної провідності на розподіл температурних полів у зоні стику двох тіл.
статья, добавлен 29.01.2016Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
автореферат, добавлен 29.07.2014Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015Вивчення фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого та зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого і зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Розгляд особливостей еквівалентування дволанцюгових ліній, трансформаторів і автотрансформаторів підстанцій. Аналіз етапів розрахунку сталих режимів роботи розімкнених електричних мереж. Характеристика схемі заміщення з приведеними навантаженнями.
контрольная работа, добавлен 27.07.2013Опис та можливі особливості динамічної моделі квазіодновимірних сегнетоелектриків типу порядок-безлад, який ґрунтується на стохастичній моделі Глаубера. Розрахунок статичних і динамічних діелектричних характеристик квазіодновимірних сегнетоелектриків.
статья, добавлен 29.09.2016Встановлення фізичних закономірностей технології виготовлення нових фоточутливих елементів і інтерференційно-абсорбційних фільтрів. Дослідження залежності фотоелектричних електричних властивостей фоточутливих елементів на основі гетеропереходів сполук.
автореферат, добавлен 25.06.2014- 92. Особливості діелектричних властивостей та фазових діаграм сегнетоелектричних плівок та релаксорів
Проведене дослідження нанорозмірних ефектів основних діелектричних і полярних характеристик та фазових діаграм сегнетоелектричних плівок і релаксорних сегнетоелектриків. Досліджена залежність частоти м’якої моди коливань такої системи від товщини.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Розробка конструкції багатополюсних електричних машин змінного струму зі зниженим рівнем зовнішнього магнітного поля. Побудова математичної моделі електричної машини змінного струму як джерела ЗМП на основі теоретичних і експериментальних досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014- 94. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Оптимальні режими дифузії для створення легованих оловом шарів II–VI сполук, дослідження їх електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей. Спільні та відмінні риси характеру фізичних процесів у шарах, які зумовлені домішкою олова.
автореферат, добавлен 29.08.2015Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Визначення відносної діелектричної проникності титанату барію. Електричний дипольний момент одиниці об’єму діелектрика для вектора поляризації. Застосування сегнетоелектриків при виготовленні конденсаторів, генеруванні та прийомі ультразвукових хвиль.
лабораторная работа, добавлен 07.07.2017Предмет вивчення фізики. Основні фізичні поняття природи, фізики, фізичного тіла та фізичних явищ, речовини. Наука про загальні закономірності перебігу явищ природи, властивості і будову матерії, закони її руху. Формування практичних умінь учнів.
разработка урока, добавлен 14.10.2013Процесс адсорбции реагирующих веществ твердым катализатором. Хроматографический метод анализа химических соединений и их смесей. Различное распределение компонентов смеси между двумя фазами - неподвижной (стационарной) и подвижной (мигрирующей).
лекция, добавлен 29.09.2013