Применение транзисторов
Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
Подобные документы
Применение двухтактных транзисторных каскадов в усилителях мощности. Использование двухтактным каскадом экономичного режима без заметных нелинейных искажений. Сопряжение проходных характеристик транзисторов в двухтактном усилителе с исходным смещением.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Разработка и расчет структурной схемы передатчика с усилителем мощности. Расчет параметром транзисторов, выбор вспомогательных элементов выходного усилителя мощности (ВУМ). Пересчет основных энергетических показателей ВУМ, расчет цепи согласования.
курсовая работа, добавлен 14.05.2015Преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами. Большая собственная температурная стабильность режимов покоя. Графический анализ работы усилительных каскадов на полевых транзисторах. Смещение рабочей точки каскада.
презентация, добавлен 23.09.2016Исследование отличительных особенностей выходных каскадов транзисторов. Анализ работы предварительного каскада в области средних частот. Расчет коэффициентов усиления базового тока композитного транзистора. Изучение схемы двухтактного выходного каскада.
лекция, добавлен 04.10.2013Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Расчет и выбор транзисторов. Максимальный ток коллектора. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Минимальные нелинейные искажения для малых сигналов. Расчет общего входного сопротивления схемы. Расчет эмиттерного повторителя и элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.03.2015Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Проектирование предварительного усилителя на ИМС. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор операционного усилителя, расчет элементов цепи ООС, выходных напряжений.
методичка, добавлен 04.04.2013Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Исследование основных параметров усилителей мощности звуковой частоты. Фазочастотная характеристика предоконечного и оконечного каскадов. Изучение порядка сборки и особенностей монтажа конструкции. Установка транзисторов. Наладка усилителя мощности.
контрольная работа, добавлен 08.06.2016Создание комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных металл-оксидных полупроводниковых транзисторов для сверхбольших интегральных микросхем, применяемых в новых системах управления двойного назначения.
автореферат, добавлен 15.02.2018Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018