Технология проведения процессов фотолитографии
Технология полупроводникового производства. Сущность процесса фотолитографии. Светочувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость фоторезистов. Адгезия фоторезиста к подложке. Фотошаблоны и способы их получения. Требования к фоторезистам.
Подобные документы
Использование наилучшего из числа возможных алгоритмов измерения, способность трансформации алгоритма измерений в процессе его выполнения. Высокие требования к точности и надежности приборным интеллектуальным аналогово-цифровым преобразователям.
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Характеристика процессов крашения как объектов автоматического управления. Функции АСУ ТП красильно-отделочного производства. Структура и состав технических средств, информационное и программное обеспечение; электрическая схема красильного аппарата.
курсовая работа, добавлен 05.11.2014Обзор существующих принципов построения локальных вычислительных сетей. Структурированные кабельные системы (СКС), коммутационное оборудование. Проект локальной вычислительной сети: технические требования, программное обеспечение, пропускная способность.
дипломная работа, добавлен 25.02.2011Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.
курсовая работа, добавлен 15.07.2015Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Методы проведения испытаний РЭСИ. Общий подход к планированию испытаний. Основные положения программы испытаний. Содержание основных разделов программы испытаний и рекомендации по их выполнению. Основные требования и содержания методики испытаний.
реферат, добавлен 14.01.2009Способы задания линейных кодов. Проверочная матрица в систематическом виде. Основные свойства линейных кодов. Стандартное расположение группового кода. Коды Хэмминга. Корректирующая способность кода Хэмминга. Процедура исправления одиночных ошибок.
реферат, добавлен 11.02.2009- 108. Основы электроники
Расчет контактной разности потенциалов для р-n перехода. Вычисление сопротивления полупроводникового диода постоянному току. Балластное сопротивление и изменение напряжения источника питания. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.
практическая работа, добавлен 07.03.2013 Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015Расчет и проектирование полупроводникового преобразователя электрической энергии. Проектирование принципиальной схемы управления данным ППЭЭ, основанной на цифровых микросхемах транзисторно-транзисторной логики: типы микросхем – К155АГ3 и К140УД7.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Разработка полупроводникового усилителя для управления приводным двигателем следящей системы: проведение расчета оконечного, предоконечного и входного каскадов, выбор резисторов эмитерных цепей и транзисторов. Расчет емкостей реактивных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.12.2011Полупроводниковый диод и его применение. Р-n-переход при внешнем напряжении, приложенном к нему. Полупроводниковые диоды, их вольтамперные характеристики. Параметры и структура стабилитронов, их маркировка и переходные процессы. Емкость p-n перехода.
контрольная работа, добавлен 12.02.2016Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Расчет схемы частотного дробного детектора. Определение типа вакуумного и полупроводникового диода. Выбор средства обеспечения избирательности супергетеродинного приемника по зеркальному и соседнему каналам. Ослабление одиночного колебательного контура.
контрольная работа, добавлен 19.04.2012Применение системы автоматического регулирования (САУ) на примере процесса производства кефира. Разработка структурной схемы и математической модели САУ. Повышение качества процесса регулирования с помощью синтеза САУ и корректирующих устройств.
курсовая работа, добавлен 17.03.2013Принципы построения современных систем автоматизации технологических процессов, реализованных на базе промышленных контроллеров и ЭВМ. Разработка функциональной схемы автоматизации, обоснование выбора средств. Контроллер и модули ввода и вывода.
курсовая работа, добавлен 07.10.2012Разработка технологического процесса изготовления печатного узла прибора для измерения частоты пульса. Обеспечение технологичности конструкции изделия. Проектирование технологических процессов, средств технологического оснащения. Организация процесса ТПП.
курсовая работа, добавлен 09.10.2011Назначение блока узкополосного передатчика. Требования к печатному узлу. Базовые требования по целостности сигнала. Разработка конструкции блока. Расчет искажений сигнала. Способы согласования линии связи. Помехи в короткой и длинной линии связи.
дипломная работа, добавлен 14.07.2016- 119. Расчет фазовращателя
Конструкция полупроводникового проходного фазовращателя. Произведение электрического расчета устройства, разработка конструкции, выполнение компьютерного моделирования характеристик устройства дискретного фазовращателя в программе Microwave Office 2008.
контрольная работа, добавлен 30.11.2012 Терморезисторы (термисторы) - полупроводниковые резисторы с нелинейной вольтамперной характеристикой, имеющие зависимость электросопротивления от температуры. Исследование зависимости повышения температуры в терморезисторе от повышения токов и напряжений.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Способность радиотехнической системы функционировать с заданным качеством в условиях радиоэлектронного противодействия. Обоснование необходимости использования и совершенствования помехозащищенных радиотехнических систем, сущность их скрытности.
курсовая работа, добавлен 09.10.2013Общие сведения о графене - двумерной аллотропной модификации углерода, история его открытия, структура, псевдомагнитные свойства. Получение нового полупроводникового материала на основе графена. Один из способов создания графенового двоичного триггера.
доклад, добавлен 20.05.2013Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация, добавлен 19.02.2014Определение радио как технологии беспроводной передачи информации посредством электромагнитных волн диапазона. Понятие электронной эмиссии. Полупроводник как основа технической базы. Рассмотрение транзистора - полупроводникового диода в радиоприемнике.
реферат, добавлен 29.10.2011Свойства и характеристики оптических волокон, способы увеличения их пропускной способности. Применение компенсаторов дисперсии и мультиплексирования. Разработка учебно-методических материалов по пропускной способности современных оптических волокон.
дипломная работа, добавлен 21.09.2012