Технология проведения процессов фотолитографии
Технология полупроводникового производства. Сущность процесса фотолитографии. Светочувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость фоторезистов. Адгезия фоторезиста к подложке. Фотошаблоны и способы их получения. Требования к фоторезистам.
Подобные документы
Понятие о разделении целей радиолокационной системы. Совместная разрешающая способность по дальности. Принцип неопределенности сигналов в радиолокации. Тело неопределенности и его эквивалент. Разрешающая способность по скорости распространения радиоволн.
реферат, добавлен 13.10.2013Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009История изобретения транзисторов, их классификация. Изобретение интегральной схемы Джеком Килби. Процесс изготовления микросхем методом фотолитографии и применением ультрафиолетовой технологии. Контроль их качества. Конструктивные варианты микросхем.
презентация, добавлен 06.10.2014Исследование высокочастотных зависимостей компонент магнитной проницаемости от относительной концентрации металлической и диэлектрической фаз композитных и плёнок состава. Технология получения и морфологические свойства пленок, их магнитный спектр.
курсовая работа, добавлен 23.09.2014Проекционная литография. Перенос изображения с фотошаблона на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем. Основная задача проекционной фотолитографии - обеспечение автоматического совмещения. Сравнение проекционной литографии с контактной.
реферат, добавлен 10.01.2009Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа, добавлен 09.03.2009Литографические процессы. Классификация методов литографии. Формирование рельефа изображения элементов. Контактная фотолитография. Последовательность выполнения операций при фотолитографии. Позитивные, негативные фоторезисты и режимы их обработки.
реферат, добавлен 10.01.2009Фоторезисты и их свойства. Травление подложки с защитным рельефом и удаление защитного рельефа. Формирование слоя фоторезиста и защитного рельефа. Организация производства фотолитографического процесса. Изготовление высококачественных фотошаблонов.
реферат, добавлен 27.03.2010Описание принципиальной схемы устройства. Расчёт зависимости величины входного тока от величины двоично—десятичного кода. Технология изготовления печатной платы электрохимическим способом. Достоинства фоторезиста на основе поливинилового спирта.
дипломная работа, добавлен 09.07.2015Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа, добавлен 30.04.2011Общие требования, предъявляемые к монтажу электрооборудования вентиляции. План размещения оборудования на объекте. Требования к персоналу. Выбор и способы прокладки кабелей. Расчет аппаратов защиты. Технология, приспособления и инструменты для монтажа.
курсовая работа, добавлен 10.04.2013- 12. Исследование нелинейно-оптических процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников
Кремний как материал современной электроники. Способы получения пористых полупроводников на примере кремния. Анализ процесса формирования, методов исследования, линейных и нелинейных процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014 Автоматизированная информационная технология (АИТ) в налоговой системе - это совокупность информационных процессов и программно-технических средств, обеспечивающих сбор, обработку, хранение и отображение информации, а также ее надежность и оперативность.
курсовая работа, добавлен 14.04.2008Технология удаленного доступа в автоматизированных системах управления. Основные требования к структуре телемеханики. История создания и характеристика стандарта сотовой связи. Разработка лабораторной установки по изучению технологии удаленного доступа.
дипломная работа, добавлен 12.12.2011Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Инженерные расчеты характеристик современных радиолокационных станций. Дальность действия, коэффициент усиления антенны, разрешающая способность, однозначность и точность измерений. Модель обработки пачки импульсов с шумом, поступающей на вход приемника.
контрольная работа, добавлен 25.05.2013Технологические свойства керамики. Основные компоненты, предназначенные для изготовления ответственных изделий электронной техники. Особенности процесса гидростатического прессования на примере получения заготовок для высоковольтных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 11.01.2011Характеристика свойств адгезивов. Назначение: фиксация компонентов. Выбор адгезива. Основные требования, предъявляемые к адгезивам. Технология нанесения адгезива. Метод трафаретной печати, групповой перенос капель и метод капельного дозированная.
реферат, добавлен 21.11.2008Конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных БИС на гибком полиимидном носителе. Бескопрусная технология как реализация минимизации площади. ТАВ-технология и бескорпусная защита ИМС, смонтированных на полиимидных носителях.
реферат, добавлен 13.06.2012Обоснование технологического процесса записи звука на съемочной площадке с помощью цифрового HD-Recorder Edirol R-4 Pro. Сущность монтажно-тонировочного периода производства фильма. Разработка технологии записи чистового звука на съемочной площадке.
курсовая работа, добавлен 05.12.2011Основные характеристики микроскопов: разрешающая способность, глубина резкости. Принцип действия электронных микроскопов. Растровая электронная микроскопия. Принцип действия ионных микроскопов, полевого ионизационного и растрового туннельного микроскопа.
реферат, добавлен 15.01.2009Ограниченный динамический диапазон источников сообщений и конечная разрешающая способность получателей информации – людей и исполнительных механизмов. Равномерное и неравномерное квантование сообщений. Искажения при квантовании. Потеря информации.
реферат, добавлен 10.02.2009Характеристики и параметры моноимпульсной БРЛС, её антенной системы. Разрешающая способность РЛС. Помехоустойчивость как определяющий фактор работоспособности РЛС. Моделирование полотна АФАР. Сравнение характеристик антенн, преимущество зеркальной модели.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Взаимосвязь точности измерения координат цели и эффективности применения радиоэлектронной системы. Методы измерения угловых координат. Точность, разрешающая способность радиолокационных систем. Численное моделирование энергетических характеристик антенны.
дипломная работа, добавлен 11.06.2012Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
курсовая работа, добавлен 06.12.2012