Проектування польового транзистора КП301Б

Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.

Подобные документы

  • Вимоги до стабільності частоти генерованих коливань. Вплив інерційності транзистора на роботу автогенератора. Ефект Ерлі на колекторно-базовому переході. Засоби термокомпенсації режиму роботи транзистора. Визначення частоти контуру та його добротності.

    реферат, добавлен 13.07.2017

  • Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.

    лабораторная работа, добавлен 25.06.2015

  • Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.

    реферат, добавлен 08.11.2013

  • Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.

    реферат, добавлен 21.03.2015

  • Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.

    курсовая работа, добавлен 13.10.2017

  • Условное обозначение, направления токов и полярности напряжения на электродах полевого транзистора КП301Б. Методика построения фрагмента выходной сток-истоковой характеристики в окрестности рабочей точки. Анализ эквивалентной схемы для низких частот.

    контрольная работа, добавлен 04.02.2016

  • Наведення методики визначення електричних параметрів перетворювача з використанням зустрічно-штиркових перетворювачів, які використовуються для збудження об’ємних акустичних хвиль з поверхні п’єзоелектричного кристала. Розрахунок погонних індуктивностей.

    статья, добавлен 29.09.2016

  • Поняття функції часу. Дослідження параметрів стабільності сигналів та пристроїв синхронізації у часовій області. Система технічних вимог до каналів синхронізації й принципів нормування стиків синхронізації для різних типів мереж цифрового зв’язку.

    автореферат, добавлен 29.01.2016

  • Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.

    статья, добавлен 23.03.2018

  • Огляд існуючих домашніх метеостанцій. Основні гідності й недоліки різних моделей. Патентний огляд. Обґрунтування технічного завдання на проектування метеостанції. Розробка її електричної принципової схеми. Розрахунок основних елементів пристрою.

    курсовая работа, добавлен 12.03.2015

  • Визначення залежності струму колектора від струму бази та напруги колектор-емітер. Розрахунок сімейства вихідних характеристик біполярного транзистора в схемі із загальним емітером. Фактори, що визначають силу струму, що протікає через колектор.

    лабораторная работа, добавлен 27.03.2014

  • Розгляд теорії щілинних антен складної форми. Характеристики польових та біполярних транзисторів. Розроблення генераторів у діапазоні сантиметрових та міліметрових довжин хвиль. Використання об’ємних хвилеводів, резонаторів та квазіоптичних конструкцій.

    автореферат, добавлен 29.07.2014

  • Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.

    курсовая работа, добавлен 20.09.2014

  • Дослідження імітансних характеристик комбінованих динамічних негатронів на основі польового транзистора Шоттки в діапазоні частот при різних значеннях перетворюваного імітансу. Вивчення особливостей активних фільтрів, генераторів гармонійних коливань.

    автореферат, добавлен 26.09.2014

  • Конструкція, основні види польових транзисторів. Залежність електропровідності напівпровідників від виду домішок. Фізичні процеси в електронно-дірковому переході. ЕДП при зворотньому вмиканні зовнішньої напруги. Вольт-амперна характеристика р-n-переходу.

    реферат, добавлен 25.12.2016

  • Огляд можливостей подолання складностей при проектуванні генераторних датчиків шляхом використання таблиць перетворення іммітансу. Принцип побудови таблиць перетворення іммітансу узагальнених перетворювачів іммітансу на основі польового транзистора.

    статья, добавлен 28.07.2013

  • Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.

    реферат, добавлен 30.08.2010

  • Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2012

  • Аналіз шумових характеристик сучасних надвисокочастотних польових транзисторів та шляхів їх оптимального використання у підсилювальних пристроях дециметрового діапазону електромагнітних хвиль. Методи зниження шумової температури підсилювачів до 10 К.

    автореферат, добавлен 28.07.2014

  • Методика розрахунку потужності розсіювання на колекторі одного транзистора. Визначення опору резистора емітерної стабілізації. Аналіз схеми вхідного витікового повторювача. Обчислення максимального коефіцієнту підсилення операційного підсилювача.

    курсовая работа, добавлен 12.07.2017

  • Дистанційне зондування навколишнього середовища. Представлення феноменологічної моделі магнетрона. Апроксимація вольтфарадних характеристик високовольтних польових транзисторів. Конструювання передавачів і доплерівських метеорологічних радіолокаторів.

    автореферат, добавлен 12.08.2014

  • Аналіз відомих пристроїв. Амплітудно-частотна характеристика. Недоліки відомих пристроїв. Розробка технічних вимог. Розробка структурної схема і опис її роботи. Вибір елементів, які входять до складу пристрою. Розрахунок статичної характеристики.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2015

  • Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.

    реферат, добавлен 15.11.2012

  • Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.

    презентация, добавлен 20.07.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.