Проектування польового транзистора КП301Б
Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
Подобные документы
Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що здатен підсилювати потужність. Оцінка співвідношення між складовими струму за допомогою коефіцієнта інжекції. Дослідження схеми вмикання транзистора зі спільним емітером.
учебное пособие, добавлен 16.07.2017Історія винаходу біполярного транзистора. Будова, принцип дії та класифікація. Позначення типу. Режими роботи: активний; інверсний; насичення; відсічки. Використання транзисторів в підсилювачах, генераторах, перетворювачах сигналу, логічних схемах.
реферат, добавлен 07.10.2019Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 6. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, здатний підсилювати потужність. Загальні відомості про біполярні транзистори, їх будова та принцип дії. Класифікація, маркування, режими роботи та використання транзисторів.
лекция, добавлен 16.07.2017Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
автореферат, добавлен 28.07.2014Загальна характеристика устрою польових транзисторів із горизонтальною і вертикальною структурами. Принципова схема резонансного генератора із зовнішнім збудженням на транзисторі. Розрахунок параметрів режиму стокового ланцюга на робочих частотах.
контрольная работа, добавлен 27.03.2011Розрахунок структурної схеми радіо-передавального пристрою. Наявні варіанти вибору транзисторів та каскадів підсилювачів. Схема узгодження між каскадами транзисторів і розрахунок потужності яка на ній розсіюється. Технічні вимоги до джерел живлення.
контрольная работа, добавлен 12.06.2013Параметри і характеристики діодів. Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів. Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи. Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв. Внутрішні завади аналогових пристроїв.
учебное пособие, добавлен 07.07.2017Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.
реферат, добавлен 21.02.2015Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Характеристика основних типів аналого-цифрових та цифро-аналогових перетворювачів, принципи їх роботи: на двійково-зважених резисторах та на основі матриці резисторів R – 2R. Класифікація мікропроцесорних пристроїв та однокристальних мікроконтролерів.
реферат, добавлен 23.07.2015Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.
лекция, добавлен 15.03.2016Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Визначення поняття та значення автомобільного адаптера. Розгляд принципу роботи схеми пристрою. Вибір і обґрунтування мікросхеми стабілізатора напруги, транзисторів. Проектування печатної плати. Розрахунок надійності виробу. Оформлення маршрутних карт.
курсовая работа, добавлен 30.08.2014Математична модель біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора. Частотні мікроелектронні перетворювачі магнітного поля на основі трьох біполярних, МДН- та біполярного транзисторів з активним індуктивним елементом. Оцінка похибок вимірювання.
автореферат, добавлен 28.09.2014Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Проектування радіоприймальних пристроїв. Вибір структурної схеми радіоприймача: вимоги до електричних параметрів та обґрунтування структурної схеми. Попередній розрахунок функціональної схеми. Вибір числа піддіапазонів. Розрахунок смуги пропускання.
курсовая работа, добавлен 08.09.2012Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.
статья, добавлен 17.05.2020Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.
лабораторная работа, добавлен 27.12.2014