Р-канальный МДП транзистор
Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
Подобные документы
Электростатические приборы, их разновидности, устройство, преимущества и недостатки. Принцип действия приборов с изменяющейся площадью пластин и приборов с изменяющимся расстоянием между пластинами. Область применения электростатических приборов.
реферат, добавлен 06.12.2015- 77. Транзистор
Определение содержания закона потенциальной градации материи. Расчет величины контактной разности потенциалов для пары Bi-Cu. Принципы работы контактного перехода. Работа германиевого транзистора, согласно закону потенциальной градации материи.
статья, добавлен 23.11.2018 Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.
контрольная работа, добавлен 19.09.2017Методы расчета усилителя мощности низкой частоты. Амплитуда тока выходных транзисторов. Минимальная величина среднего тока, потребляемого от источника питания в каждом плече в режиме заданной выходной мощности. Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6).
реферат, добавлен 21.10.2017Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2017Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.
статья, добавлен 20.07.2018Шинопровод как жесткий токопровод заводского изготовления напряжением до 1 кВ. Рассмотрение особенностей распределительных внутрицеховых сетей: основное назначение, анализ электрооборудования. Характеристика скрытой электропроводки, сферы применения.
реферат, добавлен 12.03.2013Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Назначение анализаторов изображений. Основные параметры и характеристики данных устройств, их внутренняя структура и принцип действия. Классификация и сравнительная характеристика различных анализаторов, их функциональные особенности и сфера применения.
контрольная работа, добавлен 17.11.2018Схемы включения транзистора и их обобщение. Первичные параметры транзистора и методы расчета технических показателей каскада для включения общей базы, эмиттера, коллектора. Практическое определение основных технических показателей транзисторного каскада.
курсовая работа, добавлен 27.06.2015Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.
дипломная работа, добавлен 27.11.2014Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Основные виды и методы электрических измерений. Вычисление погрешности электроизмерительных приборов и определение их классов точности. Методы измерения сопротивления. Характеристики и принцип действия генератора. Преимущества полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 12.12.2013Описание свойства схемы с общим коллектором и составного эмиттерного повторителя, её входное и выходное сопротивления. Порядок измерения сквозного коэффициента усилителя. Эквивалентная схема транзистора. Повторители как усилители с ООС, его задачи.
лабораторная работа, добавлен 21.09.2013Полевой транзистор как элемент схемы и активный трехполюсник, позволяющий получить усиление по мощности. Входное и выходное сопротивления, функции передач усилительного каскада на полевом транзисторе. Технологичность и входное сопротивление по току.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Определение коммутационных процессов в инверторе напряжения при значительном индуктивном рассогласовании и в околорезонансном режиме. Способы определения оптимального тока коммутации силовых транзисторов. Расчетная схема мостового инвертора напряжения.
реферат, добавлен 27.09.2012Основные характеристики магнитного поля. Намагничивание ферромагнитных материалов. Назначение, области применения и принцип действия трансформаторов. Двигатели постоянного тока. Устройство асинхронного двигателя. Формирование и генерирование импульсов.
курс лекций, добавлен 06.10.2012Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017Исследование истории приборов измерения давления. Характеристика технологии механического измерения анероидным барометром. Определение особенностей электрических методов измерения. Значение эры сенсоров в совершенствовании измерительных приборов.
реферат, добавлен 05.06.2015Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
контрольная работа, добавлен 15.01.2012Классификация лазерных технологических процессов. Механизм передачи и поглощения энергии при излучении. Оптические характеристики металлов. Физические свойства лазерной плазмы. Анализ преимуществ применения лазеров в создании электронных приборов.
учебное пособие, добавлен 06.05.2016Основные виды и функциональное назначение искусственного освещения. Анализ преимуществ и недостатков ламп накаливания. Главная особенность конструкции современного светильника. Общая характеристика и область применения газоразрядных магнетронов.
реферат, добавлен 17.12.2014