Р-канальный МДП транзистор
Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
Подобные документы
Устройство и принцип действия, статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Основные параметры МДП – транзисторов и область их применения. Главные преимущества и недостатки полевых транзисторов. Усилители с общим истоком.
курсовая работа, добавлен 16.06.2022Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Мостовая схема оконечного каскада, распределение токов. Схемы последовательного возбуждения и параллельного способа подключения сигнала. Проектирование усилителя низкой частоты из полевых транзисторов и электронных ламп, а также их основное применение.
реферат, добавлен 14.11.2014Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2015Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Особенность применения элементов электронных схем. Характеристика биполярных и полевых транзисторов. Анализ устройства для формирования и аналого-цифрового преобразования сигналов. Сущность линейных конфигураций на основе операционных усилителей.
учебное пособие, добавлен 17.01.2015Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.
контрольная работа, добавлен 21.03.2016Транзистор как полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, физические основы его функционирования, внутреннее устройство и принцип работы. Механизм возникновения токов. Схемы включения биполярного транзистора, их сравнение.
реферат, добавлен 29.10.2017Появление усилительных элементов – транзисторов, интегральных схем и других электронных приборов, усиливающих электрические сигналы. Создание широкополосных усилителей гармонических и импульсных сигналов, предназначенных для телевидения, радиолокации.
контрольная работа, добавлен 09.10.2018Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 14.09.2017Виды режимов работ биполярных транзисторов и их отличия. Процесс протекания эмиттерного тока. Характеристика работы и свойства транзистора в прямом активном режиме. Обратная связь по напряжению в биполярном транзисторе, согласно с эффектом Эрли.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.
учебное пособие, добавлен 06.09.2016