Р-п переход (полупроводниковый диод)
Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
Подобные документы
Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Разработка командного файла для моделирования структуры силового диода в программе DESSIS. Результаты моделирования с помощью программы INSPECT. Схематическая структура диода с алюминиевой металлизацией и медными элементами корпуса и термоэлектродами.
курсовая работа, добавлен 20.11.2016Изучение понятия диффузионной емкости p-n-перехода. Барьерная емкость. Р-n-переход как система из двух проводящих плоскостей, разделенных диэлектриком, то есть как плоский конденсатор. Особенности определения инерционности p-n-перехода барьерной емкостью.
презентация, добавлен 20.07.2013Описание способа изготовления перехода Джозефсона и исследование по возможности улучшения его воспроизводимости и качества. Возможность управления параметрами процесса изготовления перехода с учетом характеристик высокотемпературного сверхпроводника.
статья, добавлен 01.02.2019Описание принципа работы диафрагменного резистивного диода. Разработка конструктивного варианта гидропневматического диода, анализ его диодности по сравнению с известными диодами. Особенности его работы не только на низких, но и на средних давлениях.
статья, добавлен 02.02.2019Процесс нахождения отношение прямого тока к обратному с использованием упрощенного уравнения вольтамперной характеристики диода. Определение тока в цепи, состоящего из источника напряжения, резистора и диода. Линия максимально допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 07.10.2013Задание физических характеристик нелинейных элементов при расчете электрических цепей. Графическая диаграмма вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Использование нелинейных свойств элементов электрических цепей в радиоэлектронике.
лекция, добавлен 23.07.2013Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.
реферат, добавлен 22.11.2015Определение понятия, изучение структуры и общая характеристика методов создания p-n-переходов. Определение основных параметров, характеристик и физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Процесс фотолитографии.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
статья, добавлен 14.07.2016Описание принципа действия вакуумного диода, его вольтамперная характеристика. Строение триода, понятие тетрода и пентода. Описание устройства, принципиальной схемы ряда электронных приборов, их применение для исследования атомного строения тел.
реферат, добавлен 21.04.2009Понятие электронно-лучевой трубки, особенности управления лучом. Определение термина "вакуум", возможности электрического тока. Вольтамперная характеристика вакуумного диода, его использование для выпрямления переменного тока. Свойства электронных пучков.
реферат, добавлен 13.06.2015Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.
автореферат, добавлен 02.08.2018Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Важное место в физике стеклообразного состояния стеклования жидкости как процесса, обратного размягчению стекла. Исследование вязкого течения стеклообразующих расплавов в области перехода "жидкость – стекло". Характеристика критерия размягчения стекол.
автореферат, добавлен 15.02.2018Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.
реферат, добавлен 08.02.2016Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.
презентация, добавлен 29.08.2015