P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
Подобные документы
Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Краткие общие сведения о моделировании систем. Обобщенная схема работы оптико-электронной системы, работающей активным методом. Этапы разработки компьютерной модели с применением методов математического моделирования. Описание объектов-оригиналов.
лекция, добавлен 17.11.2018Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012Раcположение светоприемных элементов (прямоугольники синего цвета) в ПЗС-линейке и ПЗС-матрице. Принцип зарядовой связи. Образование потенциальной ямы при приложении напряжения к затвору. Тактовые диаграммы и схема управления трёхфазным регистром.
контрольная работа, добавлен 27.05.2015Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Принципиальное отличие энергетического спектра квантовой точки от спектра квантовой ямы. Механизмы самоорганизованного роста тонкого слоя на поверхности монокристалла. Спектры фотолюминисценции.
презентация, добавлен 24.05.2014Основные этапы производства: выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей, тестирование, изготовление корпуса. Технологические этапы создания микропроцессоров. Процесс легирования и диффузии. Формирование структуры с помощью фотолитографии.
статья, добавлен 12.12.2012Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Виды измеряемых давлений и манометров. Выбор чувствительного элемента датчика давления (мембрана). Расчет толщины металлизации электродов емкостных датчиков, толщины слоя диффузии и жесткости, обеспечиваемой электростатическими силами цепи обратной связи.
курсовая работа, добавлен 24.05.2014Преобразование импульсов в цифровых измерительных приборах. Определение погрешности дискретизации при синхронизированном и несинхронизированном началом временного интервала и счетных импульсов. Погрешность выборки при низкочастотной синусоидальной помехе.
лекция, добавлен 28.10.2014Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней. Эффект индуцированной примесной фотопроводимости. Термооптические переходы и двойные оптические переходы. Оптическая перезарядка примесных центров. Эффект отрицательной фотопроводимости.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Изучение материалов и устройств оптической памяти, нейросетевой обработки информации. Функциональные преимущества и перспективность применения бактериородопсина (БР) в приборах электронной техники. Требования к параметрам БР-содержащих полимерных пленок.
дипломная работа, добавлен 30.01.2018Определение генерирования электрических колебаний. Характеристика генератора, основные виды, принцип работы. Управление электронной лампой с помощью цепи обратной связи. Мультивибратор на электронных лампах или транзисторах. Преобразователи частоты.
доклад, добавлен 25.12.2013Структурная схема электронного телефонного аппарата и временные диаграммы на входах разговорного и импульсного ключей при использовании микросхемы электронного номеронабирателя W9145. Передача, прием и заготовка буквенно-цифровых сообщений или данных.
контрольная работа, добавлен 12.12.2016Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Временные диаграммы и количество элементов на экране телевизионного графического дисплея: классификация. Структурная схема контролера, временные диаграммы и протокол обмена, рисунок фрагмента экрана, общий вид устройства вывода, расчёты и их результаты.
курсовая работа, добавлен 25.12.2010Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Описание основных элементов структурной электрической схемы программатора в персональном компьютере. Принцип действия устройства. Разработка принципиальной схемы блока программирования. Диаграммы работы микроконтроллера при вводе и выводе данных.
реферат, добавлен 18.03.2014