P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
Подобные документы
Экспериментальное построение областей устойчивости линейных систем автоматического управления и изучение влияния на устойчивость системы ее параметров. Значение коэффициента k, при котором замкнутая система будет находиться на границе устойчивости.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2021Необходимые условия ферромагнетизма. Понятие о доменной структуре и о магнитной анизотропии. Принцип работы датчика Холла. Особенности импульсных магнитных характеристик микронных сердечников. Тахогенераторы постоянного тока и его передаточная функция.
контрольная работа, добавлен 12.06.2009Современное значение облачных технологий, принцип их работы. Преимущества, связанные с использованием облачных технологий. Ряд услуг, которые предоставляет данная система. Характеристика возможностей облачных вычислений. Заполнение электронной ведомости.
статья, добавлен 17.04.2019Структурная схема автоматического зарядного устройства УЗА-24-10, назначение, принцип работы; технические характеристики: номинальное напряжение питающей сети, ток заряда батареи. Регулятор работы - широтно-импульсный модулятор; контроль перегрузки.
лекция, добавлен 03.10.2013Принцип работы радара, особенности и виды радар-детекторов, методы обработки сигнала. Основные условия правильной работы радар-детектора. Принцип работы активного антирадара (устройства активного типа). Лазерные антирадары как наиболее дорогостоящие.
статья, добавлен 19.02.2019Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Основные характеристики, состав и внешний интерфейс нейропроцессора NM6403. Основные узлы и шины нейропроцессора, их предназначение. Внешние выводы процессора NM6403, подключаемые к глобальной шине. Временные диаграммы синхронного цикла чтения и записи.
контрольная работа, добавлен 21.07.2010Назначение, виды и принцип работы парктроника и его электронной системы. Основные элементы парковочной системы автомобиля. Способы монтажа датчиков. Электромагнитные парковочные устройства, их конструкция и причины поломок, а также способы их устранения.
статья, добавлен 22.02.2019Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.
курсовая работа, добавлен 26.11.2008Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Характеристики и временные параметры, виды электромагнитных реле автоматических телефонных станций. Анализ токовой нагрузки на реле, определение его надежности. Диодные, транзисторные элементы. Соединители на герконовых реле для электронной коммутации.
лекция, добавлен 16.03.2016Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Основной рабочий режим МДП-структуры в приборах с зарядовой связью. Характеристика принципа передачи информации, работа фото ПЗС, регистр сдвига. Стоп-каналы в ПЗС-матрице, функционирование сенсора Super CCD. Цепи передачи электрических сигналов.
реферат, добавлен 16.10.2013Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012- 93. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Особенности преобразования перемещения в электрический сигнал за счет изменения параметров электромагнитной цепи с помощью датчиков. Принцип работы простейшего индуктивного преобразователя как дросселя с переменным воздушным зазором в магнитопроводе.
контрольная работа, добавлен 21.02.2014- 98. Глобальные сети
Общие принципы организации Интернета. Аппаратные средства и протоколы обмена информацией. Сущность единой системы адресации, основанной на использовании IP-адреса. Распределение доменной системы имен. Анализ преимуществ и недостатков электронной почты.
реферат, добавлен 26.06.2011 - 99. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010