Общие сведения о полупроводниковых приборах
Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
Подобные документы
Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015- 34. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
методичка, добавлен 29.11.2012Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
презентация, добавлен 20.07.2013Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016