Общие сведения о полупроводниковых приборах
Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
Подобные документы
Измерение - процесс определения физической величины с помощью технических средств. Классификация измерительных приборов. Метод сравнения, или нулевой метод, служащий основой действия приборов сравнения: мостов, компенсаторов. Класс точности приборов.
презентация, добавлен 15.12.2020Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Описаны характеристики, принцип действия, функциональные особенности, краткая история создания и разработки, конструкция, наиболее распространённые модели и фирмы производители ЭЛТи, LCD и TFT-мониторов. Сравнения моделей и характеристик мониторов.
контрольная работа, добавлен 29.04.2014Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.
курс лекций, добавлен 11.09.2012Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Приборы непосредственной оценки и приборы сравнения. Принцип действия электронно-счетных частотомеров. Подсчет количества импульсов, сформированных входными цепями из периодического сигнала произвольной формы. Аналоговые стрелочные частотомеры.
курсовая работа, добавлен 02.12.2010Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Применение ЭВМ (пакет OrCAD) для построения и анализа схемы пассивной линейной RLC цепи. Создание моделей полупроводниковых приборов с помощью Model Editor. Исследование шумовых и температурных свойств усилительного каскада на биполярном транзисторе.
методичка, добавлен 10.08.2013Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017- 112. Схемы выпрямителей
Общие принципы построения выпрямительных устройств. Структурная схема, классификация полупроводниковых выпрямителей. Однофазные выпрямители: с двухполупериодной схемой со средней точкой, с мостовой схемой. Нулевая и мостовая схемы трехфазных выпрямителей.
контрольная работа, добавлен 25.11.2020 Характеристика истории создания гетеродинного приемника и анализ его принципа действия. Описание схемы телеграфной радиолинии. Вольтамперная характеристика детектора. Определение крутизны и кривизны для современного диода Д2 по вольтамперной зависимости.
курсовая работа, добавлен 28.05.2014Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Основные существующие виды регуляторов давления, их структурная схема и принцип действия. Требования к конструкции регуляторов давления газа. Автоматический регулятор давления типа АК-11Б: общие сведения, составные части, схема и принцип работы.
лабораторная работа, добавлен 05.12.2011Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2017Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015- 122. Нелинейные системы
Определение и технические характеристики нелинейных систем. Математическое описание безынерционных нелинейных элементов, динамических нелинейных звеньев САУ. Оценка статических характеристик схем с типовой структурой. Линеаризация нелинейных систем.
реферат, добавлен 11.12.2020 Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.
курсовая работа, добавлен 26.11.2008Отражение электромагнитной волны от металлической поверхности рефлектора. Принцип действия зеркальной антенны. Апертурный метод расчет поля излучения. Геометрические характеристики параболоидного зеркала. Расчет полной мощности излучения облучателя.
реферат, добавлен 02.05.2020