Электрические методы измерения параметров полупроводниковых структур
Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
Подобные документы
Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
автореферат, добавлен 18.11.2018- 78. Цветные металлы
Рассмотрение классификации цветных металлов. Определение особенностей их применения и технологии обработки. Приведение основных сплавов алюминия, а так же их свойств, различных магнитных, полупроводниковых и проводниковых материалов из цветных металлов.
реферат, добавлен 05.05.2016 Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Классификация методов и приборов для измерения температуры. Контактный, бесконтактный и люминесцентный методы измерения. Прямое и косвенное измерение физических параметров, зависящих от температуры. Температурные шкалы Цельсия, Кельвина, Фаренгейта.
контрольная работа, добавлен 04.04.2018Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Рассмотрение способов измерения электрических величин с помощью технических средств. Исследование устройства и классификации электроизмерительных приборов. Определение методов преобразования физических величин в один из параметров электрических.
курс лекций, добавлен 10.08.2015Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Дискретная структура энергетического спектра электронов в атоме. Энергетические зоны кристалла. Проводники и диэлектрики в свете зонной теории твердых тел. Различие между собственными и примесными полупроводниками. Функция плотности квантовых состояний.
лекция, добавлен 04.12.2018Ключевые задачи по проблемам хемосорбции молекул кислорода и воды на поверхности полупроводниковых оксидов металлов (ПОМ), их каталитической активности. Механизмы взаимодействия газов с ПОМ. Проблемы сенсорной диагностики, которые требуют решения.
автореферат, добавлен 02.03.2018Системы электроизмерительных приборов: магнитоэлектрическая, электромагнитная, электродинамическая, индукционная, их основные преимущества и недостатки. Измерение магнитной индукции в сердечнике. Условные обозначения электроизмерительных приборов.
лекция, добавлен 10.10.2013Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Расчет и построение внешней и регулировочной характеристик преобразователя. Характеристика типов линейных и цифровых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Расчет угла открывания тиристора, выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Построение внешних показателей выпрямителя, регулировочная характеристика системы импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Определение сущности метрологии - науки об измерениях физических величин. Ознакомление с устройством магнитоэлектрического логометра. Изучение схемы электродинамического прибора, который употребляют для измерения силы тока. Анализ особенностей ваттметра.
контрольная работа, добавлен 20.03.2015Средства измерения электрических величин. Классификация электроизмерительных приборов. Систематическая погрешность при повторных измерениях одной и той же величины одним и тем же прибором. Основные знаки и символы, наносимые на лицевой панели прибора.
методичка, добавлен 04.11.2021Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.
учебное пособие, добавлен 06.09.2016Светодиод или светоизлучающий диод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрический ток. История разработки и усовершенствования электронно-дырочного перехода. Долговечность и надежность светодиода.
реферат, добавлен 29.08.2015Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013