Электрические методы измерения параметров полупроводниковых структур
Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
Подобные документы
Принципиальные схемы выпрямителей с удвоением напряжения на полупроводниковых диодах. Основной характер пульсации выпрямленного тока. План с многократным умножением усилия с дополнительными сопротивлениями. Применение селеновых столбиков или кенотронов.
реферат, добавлен 08.06.2014Импульсный блок питания полупроводниковых источников света, используемых для освещения жилых и общественных помещений, производственных зданий. Мощность ИБП в зависимости от применяемых светодиодных светильников. Разработка импульсного трансформатора.
дипломная работа, добавлен 16.01.2013Структурно-параметрический синтез двух- и трехконтурных электрических цепей с емкостным накопителем энергии в тиристорных формирователях разрядных импульсов. Рассмотрение сопротивления в полупроводниках. Процесс формирования мощных разрядных импульсов.
статья, добавлен 29.01.2016Влияние электрического поля на величину, вид магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта в арсениде галлия и германия Закономерности проявления размерного эффекта в низкотемпературном магнитотранспорте диамагнитных полупроводниковых пленок.
автореферат, добавлен 19.08.2018Определение понятия, изучение структуры и общая характеристика методов создания p-n-переходов. Определение основных параметров, характеристик и физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Процесс фотолитографии.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Корреляция между неоднородно распределенными в пространстве локализованными состояниями и особенностями спектра излучения в полупроводниковых эпитаксиальных структурах a3b5. Влияние миграции электронных возбуждений на формирование спектра люминесценции.
автореферат, добавлен 02.03.2018Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Элементы линейных электрических цепей постоянного и синусоидального тока. Способы соединения фаз в трехфазных системах. Принцип действия и виды трансформаторов, полупроводниковых приборов, аппаратуры управления и защиты. Устройство синхронной машины.
учебное пособие, добавлен 21.05.2013Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Причины тепловыделения в электроустановках. Расчет теплового состояния выпрямительной установки. Способы охлаждения полупроводниковых преобразовательных приборов. Тепловыделение в электрических проводниках. Тепловые процессы при электродуговом контакте.
реферат, добавлен 27.05.2014Определение и анализ сущности диэлектриков - веществ, не содержащих свободных заряженных частиц. Исследование и характеристика особенностей поляризации полярных диэлектриков. Ознакомление со схемой металлического проводника в электростатическом поле.
презентация, добавлен 20.12.2022Рассмотрение понятия давления. Классификация приборов для его измерения. Изучение принципа действия и устройства баровакуумметра, манометров с трубчатой пружиной, с пластинчатой и коробчатой пружинами. Описание приборов для измерений разницы давлений.
реферат, добавлен 18.05.2016Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Общие сведения и классификация приборов для измерения параметров и компонентов цепей с сосредоточенными постоянными. Измерение параметров двухполюсников. Общая характеристика и структурная схема резонансного измерителя параметров двухполюсников.
презентация, добавлен 22.01.2016Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Измерение размеров микроструктур в субмикронном диапазоне. Измерение профиля полупроводниковых структур. Образование методической погрешности при контроле профиля элемента методом атомно-силовой микроскопии. Калибровки с применением мер малой длины.
реферат, добавлен 29.03.2020Определение понятия радиолокации – высокоинтеллектуального продукта инженерной мысли, который является основным средством разведки и наблюдения. Анализ ее физических свойств. Изучение процесса приема радиоволны линейной вибраторной антенной решеткой.
курсовая работа, добавлен 21.01.2015Изучение основных законов и методов расчёта линейных электрических и магнитных цепей. Принципы функционирования трансформаторов, электрических машин постоянного и переменного тока. Организация сетевого питания. Работа основных полупроводниковых приборов.
курс лекций, добавлен 16.11.2015Рассмотрена теория возникновения поверхностных плазмонов на границах раздела воздух-металл-диэлектрик под воздействием падающего светового излучения видимого спектра. Показана возможность усиления ближнего электромагнитного поля плазмонным резонансом.
статья, добавлен 29.01.2019Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.
контрольная работа, добавлен 03.09.2012Большая продолжительность воздействия электрического поля на жидкий диэлектрик. Величинп напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика. Влияние электрического поля на электропроводность полупроводников. Магнитные потери, причины их возникновения.
контрольная работа, добавлен 06.01.2016Оптические характеристики объемных и наноразмерных кристаллов. Методы выращивания кристаллов и получение полупроводниковых монокристаллов. Устройство сцинтилляционного болометра. Оптическое поглощение селенида цинка в зависимости от атмосферы отжига.
курсовая работа, добавлен 19.11.2011Особенности лазерного излучения и методы его получения, теоретические основы лазерных технологических процессов, их классификация и перспективы развития. Характеристика и принцип работы газовых и полупроводниковых лазеров, область их применения.
реферат, добавлен 07.08.2010Методы измерения симметричных кабельных линий связи. Электрические измерения на сетях электросвязи. Назначение основных органов управления Рейс-205. Исследование основ определения расстояния до места понижения электрического сопротивления изоляции жил.
дипломная работа, добавлен 11.02.2017