p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
Подобные документы
Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.
контрольная работа, добавлен 19.09.2017Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Описание сущности перехода вещества из одной фазы в другую. Физические свойства льда, воды, водяного пара. Изучение давления насыщения и процесса конденсации (сублимации). Зависимость давления насыщенного водяного пара от температуры состояния испарения.
презентация, добавлен 06.11.2014Результаты исследования структуры турбулентного потока. Физические особенности интенсификации теплообмена для сред с высокими числами Прандтля. Генерация турбулентности по обычному сценарию. Прогнозирование эффективности интенсификации теплообмена.
статья, добавлен 25.02.2016Исследование зависимости длительности процесса заряда, скорости нарастания и амплитуды пульсаций зарядного тока, диапазонов изменения частоты коммутации от режимных параметров. Определение области предпочтительного использования каждого из алгоритмов.
статья, добавлен 30.01.2016Получение электролюминесцентных структур на основе пористого кремния электролитически с использованием внутреннего источника тока. Определение инжекции дырок режимом их аккумуляции в области пространственного заряда концентрацией электронных состояний.
научная работа, добавлен 12.01.2012Изучение зависимости термодинамического потенциала от величины фазового перехода. Исследование параэлектрической фазы диэлектриков. Причины возникновения спонтанной поляризованности сегнетоэлектрических кристаллов. Тепловые свойства сегнетоэлектриков.
реферат, добавлен 03.09.2015Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.
контрольная работа, добавлен 27.10.2015Зависимость тока через p-n-переход от приложенного к нему напряжения, ее выражение в графическом виде и ее описание экспоненциальной зависимостью. Вольтамперная характеристика, в которой отражено свойство односторонней электропроводности p-n-перехода.
презентация, добавлен 20.07.2013Особенности взаимодействия электромагнитного излучения с веществом. Классификация люминесценции по длительности и способу возбуждения. Фотолюминесценция полупроводника с примесями. Электронные уровни примесей. Донорно-акцепторные излучательные переходы.
лекция, добавлен 17.06.2015Понятие и сущность диэлектриков, их характерные отличительные свойства от других веществ. Этапы исследования механизма ионизации, электрической проводимости и пробоя жидких диэлектриков. Особенности пробоя жидких диэлектриков, теория А. Геманта.
реферат, добавлен 22.01.2011Расчёты трёхмерного МГД-течения в неоднородном магнитном поле при конечных значениях параметра МГД-взаимодействия. Определение области перехода от инерционного к стоксовому режиму течения. Математическая модель магнито-гидродинамического течения.
статья, добавлен 23.06.2018Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.
презентация, добавлен 29.08.2015Понятие магнитного поля. Закон Ампера, Био и Савара. Изучение силы Лоренца. Принцип суперпозиции магнитных полей. Инвариантность электрического заряда и вихревое поле движущего заряда. Применение в физике теоремы о циркуляции магнитного поля в вакууме.
лекция, добавлен 18.05.2014Понятие удельного заряда частицы. Определение силы Лоренца с помощью правил левой руки. Особенности движения частицы по спирали. Теория метода определения заряда электрона. Описание экспериментальной установки для определения удельного заряда электрона.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2015Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Генерирование электрической энергии, ее передача. Трансформаторы, создание и принцип действия, строение, области применения трансформатора. Производство электроэнергии, типы электростанций, альтернативные источники, эффективное использование энергии.
реферат, добавлен 03.12.2009Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Понятие и сущность электродинамики, характеристика электрического заряда и электромагнитного поля. Процесс сообщения телу электрического заряда, исследование закона Кулона. Свойства электрического заряда, взаимодействие неподвижных электрических зарядов.
презентация, добавлен 13.03.2021Понятие и преимущества солнечной энергии, перспективы её сезонного и круглогодичного использования в Ростовской области. Параметры солнечных коллекторов и объем бака-аккумулятора. Схема модернизированной циркуляционной системы горячего водоснабжения.
статья, добавлен 29.07.2017Основные свойства магнитного поля. Принцип действия и устройство трансформатора. Выбор проводов и кабелей. Конструкция, режимы работы и назначение полупроводникового диода. Виды стабилизаторов напряжения. Определение эквивалентного сопротивления цепи.
контрольная работа, добавлен 06.04.2015Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.
контрольная работа, добавлен 03.09.2012