p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
Подобные документы
Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.
реферат, добавлен 05.11.2017Электрический пробой как лавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки. Вольтамперная характеристика электрического пробоя p-n перехода.
лабораторная работа, добавлен 23.12.2015Принцип работы лазерного диода. Определение распределения Больцмана. Особенности конструкции кристалла полупроводника лазерного диода. Алгоритм подключения лазерного диода. Единица измерения длины волны, которую может продуцировать лазерный диод.
реферат, добавлен 22.09.2017Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Важное место в физике стеклообразного состояния стеклования жидкости как процесса, обратного размягчению стекла. Исследование вязкого течения стеклообразующих расплавов в области перехода "жидкость – стекло". Характеристика критерия размягчения стекол.
автореферат, добавлен 15.02.2018Наличие связи между фрагильностью и ангармонизмом колебаний решетки. Анализ температурной зависимости свободной энергии активации вязкого течения стеклообразующих жидкостей в области перехода жидкость-стекло. Образование флуктуационных "дырок" в стеклах.
автореферат, добавлен 22.05.2018Изучение теории фазовых переходов второго рода. Анализ фазового перехода, управляемого не классическими тепловыми флуктуациями, а квантовыми, которые существуют при абсолютном нуле температур. Реализация классического перехода вследствие теоремы Нернста.
статья, добавлен 10.08.2018Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.
контрольная работа, добавлен 08.06.2012Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Особенности морфотропного фазового перехода в системах твердых растворов типа цирконат-титаната свинца. Метод поиска морфотропной области в n-компонентных системах ТР. Исследование структуры, диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих свойств ТР.
автореферат, добавлен 01.05.2018Причина появления инерциальных свойств у электромагнитной массы. Связь потенциальной и кинетической энергий с полем заряда. Модель рождения и потенциал движения положительного заряда. Проблема предельного перехода от волновых к квазистатическим явлениям.
научная работа, добавлен 25.01.2011- 18. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.
лабораторная работа, добавлен 23.03.2014 - 19. Фазовые переходы
Понятие фазовых переходов. Виды фазовых переходов первого рода: плавление, кристаллизация, испарение, конденсация и др. Агрегатные состояния веществ: газообразное, жидкое и твердое вещества, понятие плазмы. Особенности квантового фазового перехода.
реферат, добавлен 25.05.2015 Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Изучение понятия диффузионной емкости p-n-перехода. Барьерная емкость. Р-n-переход как система из двух проводящих плоскостей, разделенных диэлектриком, то есть как плоский конденсатор. Особенности определения инерционности p-n-перехода барьерной емкостью.
презентация, добавлен 20.07.2013Описание способа изготовления перехода Джозефсона и исследование по возможности улучшения его воспроизводимости и качества. Возможность управления параметрами процесса изготовления перехода с учетом характеристик высокотемпературного сверхпроводника.
статья, добавлен 01.02.2019Исследование закономерностей фазового перехода вещества из двухфазной области в однофазную при изохорном нагревании при значениях удельного объема меньше или больше критического. Схема и принцип действия лабораторной установки. Проведение опыта.
лабораторная работа, добавлен 29.02.2012Теоретические исследования распространения детонационных волн. Особенность облегчения турбулизацией потока перехода горения в мгновенный и разрушительный взрыв. Инициирование детонации с помощью высоковольтного наносекундного и микросекундного разрядов.
дипломная работа, добавлен 29.08.2015Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010