Полупроводниковые диоды
Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.
Подобные документы
Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.
реферат, добавлен 08.02.2016Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 21.09.2018Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Классификация пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы; система условных обозначений. Вольтамперная характеристика электронно-дырочных переходов. Полупроводниковые диоды, устройство и принцип действия биполярного транзистора.
курс лекций, добавлен 02.08.2013Основные характеристики и области применения полупроводникового детектора. Знакомство с а-спектрометром на базе полупроводникового счетчика. Амплитудные спектры импульсов в спектрометрическом тракте кремниевого детектора при регистрации заряженных частиц.
лабораторная работа, добавлен 05.12.2013Сущность полупроводника как вещества, обладающего электрическими свойствами, промежуточными между свойствами металлов и диэлектриков. Включение p-n-перехода под прямое и обратное напряжение. Полупроводниковый диод, его свойства и область применения.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Понятие электронно-лучевой трубки, особенности управления лучом. Определение термина "вакуум", возможности электрического тока. Вольтамперная характеристика вакуумного диода, его использование для выпрямления переменного тока. Свойства электронных пучков.
реферат, добавлен 13.06.2015- 58. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Описание структурной схемы индуктивно-полупроводникового балласта. Экспериментальные значения отклонений параметров ламп ДРИ-2000 и ДНаТ-400 при питании через индуктивно-полупроводниковый балласт. Синхронизация работы электронного блока с сетью.
реферат, добавлен 18.03.2019Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Методика расчета импульсных регуляторов. Основные компоненты импульсных источников питания: дроссели, конденсаторы, управляемые ключи и трансформаторы. Схема повышающего импульсного и инвертирующего регулятора. Вольт-амперная характеристика диода.
лекция, добавлен 03.03.2017Электрические характеристики, параметры электровакуумных приборов, электронных устройств. Полупроводниковые диоды, электронные схемы на их основе. Обратные связи в операционных усилителях. Импульсные электронные генераторы на базе операционных усилителей.
презентация, добавлен 03.01.2018Предназначение электронных и квантовых сверхвысоких частот (СВЧ). Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов. Принцип работы двухрезонаторного усилительного клистрона. Полупроводниковые диоды и транзисторы СВЧ.
курс лекций, добавлен 22.12.2015Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Исследование электростатического поля и электрического сопротивления металлов. Определение горизонтальной составляющей напряженности магнитного поля земли. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Изучение термоэлектрических явлений.
учебное пособие, добавлен 29.09.2017Рассмотрение основных параметров и характеристик диодов. Определение технологии применения диодов для выпрямления переменного тока. Характеристика удвоителя напряжения на базе двухполупериодного выпрямителя. Структурные схемы источников питания.
презентация, добавлен 27.09.2017Рассмотрение возникновения и расчет контактной разности потенциалов между двумя металлическими телами. Описание перемещения уровней Ферми "в структуре энергетических зон" тел. Вычисление разности потенциалов между поверхностями анода и катода диода.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Механизмы взаимодействие альфа-частиц с веществом. Энергетическое разрешение полупроводникового детектора. Спектрометрические и нейтронные детекторы. Расчет пробега частиц. Моделирование прохождения элементарных частиц через вещество, метод Монте-Карло.
курсовая работа, добавлен 18.10.2017Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
курсовая работа, добавлен 18.02.2016Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Закон сохранения энергии. Движение частицы в однородном, постоянном магнитном поле. Действие пространственного заряда на электронный пучок. Характеристики и параметры реального диода.
реферат, добавлен 11.08.2014Описание устройства и определение назначения светодиода как полупроводникового прибора, излучающего некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Изучение особенностей и отличий светодиода от электромагнитных источников света.
доклад, добавлен 03.11.2012Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
статья, добавлен 08.02.2017Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Применение термоэлектронной эмиссии, понятие работы выхода и способ её определения. Вольтамперные характеристики электровакуумного диода при различных температурах катода. Определение работы выхода для вольфрама. Зависимость тока эмиссии от температуры.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2015