Полупроводниковые диоды
Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.
Подобные документы
Параметры электронных ключей: быстродействие, форсирующая цепочка. Нелинейная обратная связь. Определение номинального тока цепи. Количество диодов. Ступенчатое регулирование. Регулирование путем подмагничивания сердечника. Магнитно-полупроводниковые.
контрольная работа, добавлен 13.01.2017Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.
лекция, добавлен 03.10.2012Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.
реферат, добавлен 20.11.2011Исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.
статья, добавлен 07.11.2018Твердые растворы полупроводниковых соединений, их свойства и область их применения. Зависимость запрещенной зоны твердых растворов от их состава. Полупроводниковые соединения, состоящие из двух элементов, признаки образования твердого раствора.
реферат, добавлен 18.05.2009Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Обзор важных свойств полупроводниковых приборов. Методы измерения их характеристик. Расчетные соотношения рабочих характеристик и энергетических показателей промышленного электрооборудования. Примеры выполнения расчета полупроводникового выпрямителя.
методичка, добавлен 30.03.2016Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Возможность генерации диодами с туннельным анодом и боковой границей в диапазоне десятки-сотни гигагерц и существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Свойства предложенных диодных структур.
статья, добавлен 29.07.2016Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Знакомство с оптической схемой микроскопа, анализ конструктивных составляющих. Лупа как простейший оптический прибор, рассмотрение сфер использования. Общая характеристика очков с рассеивающими линзами. Особенности уголовного и линейного уравнения лупы.
реферат, добавлен 22.12.2014Применение и устройство полупроводникового детектора, принцип его работы (явление ионизации, появление и движение электронов и дырок в валентной зоне, формирование импульса тока). Формула определения числа пар ионов в полупроводниковом счётчике.
доклад, добавлен 02.05.2011Описание строения тиристора - полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла с тремя или более p-n переходами. Нелинейная вольтамперная характеристика тиристоров и их основные типы. Использование реле времени, стабилитрона и конденсатора.
реферат, добавлен 20.03.2011Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Характеристика полупроводникового прибора, создающего оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Исследование основных свойств, принципа работы и преимуществ светодиодов. Спектр излучения светодиода и его влияние на зрение.
реферат, добавлен 24.11.2014Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.
реферат, добавлен 16.10.2011- 94. Диоды и триоды
История создания и развития диодов и триодов. Их типы и назначение. Применение диодных выпрямителей и переключателей. Защита входов аналоговых и цифровых схем от перегрузки. Основные части электро-лучевой трубки. Устройство чёрно-белого кинескопа.
реферат, добавлен 31.05.2016 Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 20.09.2014Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.
лабораторная работа, добавлен 29.06.2014Принципиальная электрическая схема полупроводникового преобразователя электрической энергии, временные диаграммы его работы. Расчет элементов пассивной защиты преобразователя от аварийных токов. Системы управления силовыми полупроводниковыми приборами.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012- 98. Типы диодов
Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013 Манометрический термометр как прибор для измерения температуры: основное предназначение, особенности конструкции. Рассмотрение и анализ способов подключения термопары к измерительным преобразователям. Анализ основных источников погрешности пирометров.
доклад, добавлен 10.02.2013Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.
презентация, добавлен 29.08.2015