Современное состояние резонансно-туннельных диодов
Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
Подобные документы
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Понятия коэффициента усиления и направленного действия антенны. Электрические характеристики вибраторов. Рупоры с круговой поляризацией поля. Конструкция и принцип действия зеркальной параболической антенны. Теневой эффект и методы его устранения.
учебное пособие, добавлен 25.05.2014История создания, общее устройство и принцип действия магнетрона. Свойства многорезонаторной колебательной системы. Комплексный расчет конструкции магнетрона. Строение и характеристики геомагнитного поля Земли, оценка его влияния на организм человека.
дипломная работа, добавлен 02.04.2016Тепловизионные системы, принципы их построения. Предельные характеристики приемных систем. Принцип действия структур с накоплением сигнала. Расчет параметров сканирующих систем. Максимальные значения обнаружительной способности фотоприемных устройств.
учебное пособие, добавлен 19.01.2015Выбор структурной и электрической принципиальной схем. Конструирование линейного усилителя мощности. Обоснование и проектирование входного и оконечного каскадов. Определение параметров элементной базы. Расчет коэффициента полезного действия устройства.
курсовая работа, добавлен 19.10.2014История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010История создания факсимильной связи и средств передачи документов. Стандарты факсимильных коммуникаций. Технические характеристики и принцип действия современных средств факсимильной связи. Основные направления совершенствования факсимильных аппаратов.
курсовая работа, добавлен 16.05.2011Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Выбор типа антенны и оценка ее размеров. Определение параметров антенной решетки. Расчет диаграммы направленности в плоскости и в полярных координатах. Особенности проектирования волноводно-щелевой антенны резонансного типа в программной среде CST.
курсовая работа, добавлен 27.09.2015Условия распространения радиоволн внутри помещений. Расчет прохождения радиосигнала и потерь на трассе. Изменение мощности сигнала в результате его отражения. Определение коэффициента прохождения волны через стены, перегородки и другие слоистые среды.
реферат, добавлен 04.08.2013Главные способы построения, схемы и характеристики сверхвысокочастотных монолитных ограничителей мощности. Изучение особенности двухкаскадного разделителя на встречно-параллельных диодах Шоттки X-диапазона. Характерные черты и проектирование pin-диода.
реферат, добавлен 08.12.2015Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012Сущность принципа оптического усиления. Классификация и назначение полупроводниковых усилителей. Расчёт усиления и выходной мощности сигнала, ширины и равномерности полосы усиления эрбиевого усилителя. Принцип действия волоконно-оптических усилителей.
курсовая работа, добавлен 18.12.2013Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Расчет коэффициента направленного действия антенны базовой станции. Определение среднего уровня затухания при распространении радиоволн над квази-плоской поверхностью. Расчет напряженности электрического поля для учета быстрых и медленных замираний.
курсовая работа, добавлен 10.11.2017Диаграммы направленности в вертикальной и горизонтальной плоскости. Расчет максимального коэффициента направленного действия. Расчет запаса напряженности электрического поля для учета быстрых и медленных замираний. Зона покрытия базовой станции.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Идентификация параметров spice-модели диода с помощью программ Parts, PSpice Model Editor, Micro-Cap. Нелинейные и линеаризованные схемы замещения с включением источников внутреннего шума. Уравнения, описывающие статический и динамический режимы.
методичка, добавлен 24.03.2014Теорія динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної наноструктури у слабкому електромагнітному полі з урахуванням двофотонних електронних переходів з різними частотами. Використання аналітично знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера.
статья, добавлен 13.01.2017- 96. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Сущность широкополосного усилителя сигнала и принципы его работы. Определение коэффициента передачи входного и промежуточного каскадов, их электрическая схема. Выбор транзистора, диодов и стабилитрона, расчет источников питания и силы тока эмиттера.
курсовая работа, добавлен 01.07.2014- 98. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Клистроны - исторически первые представители приборов 0-типа. Широко используются в качестве СВЧ-генераторов. Принцип действия клистронного генератора. Динамический принцип управления электронным потоком. Основные характеристики пролетного клистрона.
учебное пособие, добавлен 13.11.2019Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016