Современное состояние резонансно-туннельных диодов
Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
Подобные документы
Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013- 102. Электронная техника
Изучение принципа действия полупроводниковых и фотоэлектронных приборов. Функционирование типовых электронных узлов и устройств. Характеристики основных семейств логических операций. Применение цифровых запоминающих устройств. Виды стабилизаторов.
учебное пособие, добавлен 09.12.2013 Измерение температуры корпуса диода. Изготовление паза для размещения проводов. Изучение общего вида электронного термометра ТМ-977. Схема 20-ти ступенчатого источника стабильных токов. Сборка экспериментальной установки. Получение математической модели.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Расчет структурной схемы приемника: определение числа поддиапазонов, поверочный расчет чувствительности, выбор промежуточной частоты. Расчет входной цепи. Выбор и обоснование смесителя, гетеродина. Принцип действия и характеристики диодного детектора.
курсовая работа, добавлен 10.07.2012Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014- 106. Выпрямители
Использование различных типов выпрямителей для питания радиоприемников, телевизоров, усилителей низкой частоты. Выпрямитель с удвоением напряжения, расчет диодов. Расчет конденсаторов и параметров сопротивление трансформатора. Оценка результатов расчета.
реферат, добавлен 12.01.2011 Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Расчет рабочей точки усилителя. Расчет схем термостабилизации транзистора. Расчёт параметров схемы Джиаколетто и эмиттерной коррекции. Промежуточный каскад. Искажения, вносимые входной цепью. Расчет входной корректирующей цепи и коэффициента усиления.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Принцип взаимности и регистрация фазы в волоконно-оптическом гироскопе. Характеристики источников излучения и фотодетекторов. Особенности прямых динамических эффектов. Методы компенсации погрешностей. Расчет сметной калькуляции научного исследования.
дипломная работа, добавлен 24.05.2010Общие сведения и принцип действия зеркальной антенны. Геометрические характеристики параболоидного зеркала. Апертурный метод расчет поля излучения. Коэффициент направленного действия и коэффициент усиления. Нормированная диаграмма направленности.
реферат, добавлен 08.05.2012- 112. Полевые транзисторы
Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.
реферат, добавлен 25.01.2012 - 113. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010- 115. Особенности частотно-территориального планирования систем сетей сотовой связи третьего поколения
Расчет приемника УКВ диапазона: определение ширины спектра радиочастот принимаемого сигнала и уровня допустимого коэффициента шума. Вычисление параметров входной цепи, усилителя и преобразователя радиочастоты. Расчет реального коэффициента усиления.
курсовая работа, добавлен 15.08.2012 - 116. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 - 117. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Схема выпрямителя и выбор типов кремниевых диодов. Действующие значения напряжения и тока во вторичной обмотке трансформатора. Коэффициент полезного действия выпрямителя. Определение коэффициента сглаживающего фильтра. Потери мощности в элементах схемы.
контрольная работа, добавлен 19.04.2017Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010Знакомство с моделями активных элементов и принципами построения приборов для измерения параметров активных элементов электрических цепей. Измерение вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов. Расчет основных параметров в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 29.01.2015Схемы транзисторных усилителей. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада. Основные принципы расчета транзисторного усилителя. Расчет источника питания усилителя. Расчет однофазного мостового выпрямителя на полупроводниковых диодах.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Основное требование, предъявляемое к обзорным радиолокаторам. Расчет упрошенной блок-схемы первичной радиолокационной станции (РЛС), имеющей селекцию движущихся целей и выносные индикаторы. Принцип действия и тактико-технические характеристики РЛС.
курсовая работа, добавлен 10.04.2012Особенность разработки структурной и принципиальной схем. Основной расчет параметров и выбор трансформатора. Характеристика вычисления сглаживающего фильтра и выпрямителя. Анализ калькуляции стабилизатора напряжения и коэффициента полезного действия.
практическая работа, добавлен 22.05.2015Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Изучение параметров передающих антенн: рабочего диапазона частот, диаграммы направленности. Определение коэффициентов направленного действия, усиления антенны, защитного действия. Диапазонная классификация антенн. Требования, предъявляемые к фидерам.
курсовая работа, добавлен 26.04.2015