Статический режим полупроводникового диода

Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.

Подобные документы

  • Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.

    реферат, добавлен 05.11.2017

  • Сущность и предназначение термисторов, их характеристика и преимущества. Конструкции терморезисторов, выбор и расчет датчика для него. Определение измерительного механизма вольтамперметров. Конструкция монокристаллического полупроводникового алмаза.

    реферат, добавлен 16.05.2015

  • Обзор важных свойств полупроводниковых приборов. Методы измерения их характеристик. Расчетные соотношения рабочих характеристик и энергетических показателей промышленного электрооборудования. Примеры выполнения расчета полупроводникового выпрямителя.

    методичка, добавлен 30.03.2016

  • Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.

    статья, добавлен 08.02.2017

  • Электрический ток в металлах, растворах, расплавах, газах. Типы самостоятельных разрядов. Электрический ток в вакууме и полупроводниках. Законы Фарадея, их сущность и значение. Типы самостоятельных разрядов. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода.

    презентация, добавлен 21.10.2012

  • Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.

    лабораторная работа, добавлен 29.06.2014

  • Устройство, области применения и достоинства полупроводниковых термопар. Принцип действия элементарного полупроводникового термоэлектрического генератора, эффекты Пельтье, Томсона (Кельвина) и Зебека. Назначение батарей термоэлектрических элементов.

    реферат, добавлен 05.06.2010

  • Применение и устройство полупроводникового детектора, принцип его работы (явление ионизации, появление и движение электронов и дырок в валентной зоне, формирование импульса тока). Формула определения числа пар ионов в полупроводниковом счётчике.

    доклад, добавлен 02.05.2011

  • Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.

    курсовая работа, добавлен 23.07.2010

  • Исследование методологии курса физики, современного естествознания; эффективных практических методов освоения отдельных тем на примере разработки лабораторной работы по теме "Вольт-амперные характеристики светодиодов" с помощью конструктора "Знаток".

    статья, добавлен 20.04.2019

  • Вольтамперная характеристика диода. Диод с катодом косвенного накала. Устройство вакуумного триода. Схема устройства электроннолучевой трубки. Электронный осциллограф. Получения и применение рентгеновских лучей. Электронно-оптический преобразователь.

    лекция, добавлен 06.02.2010

  • Построение вольт-амперной и световой характеристик, удельная чувствительность фотосопротивления. Внутренний фотоэффект в собственных и примесных полупроводниках с точки зрения зонной теории. Построение люкс-амперных характеристик фотосопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 12.09.2019

  • Расчет основных параметров и характеристик выпрямительного диода. Вольтамперный анализ прямой и обратной зависимости емкости от напряжения. Примеры практического применения активного элемента. Достоинства и недостатки двухполупериодного выпрямителя.

    курсовая работа, добавлен 19.03.2012

  • Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Расчет и построение внешней и регулировочной характеристик преобразователя. Характеристика типов линейных и цифровых интегральных микросхем.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2017

  • Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Закон сохранения энергии. Движение частицы в однородном, постоянном магнитном поле. Действие пространственного заряда на электронный пучок. Характеристики и параметры реального диода.

    реферат, добавлен 11.08.2014

  • Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.

    учебное пособие, добавлен 10.04.2015

  • Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.

    лабораторная работа, добавлен 16.01.2014

  • Принципы работы параметрических стабилизаторов напряжения, описание и специфика их действия. Измерение характеристик компенсационного стабилизатора постоянного напряжения, описание условий его эксплуатации. Понятие, особенности и применение стабилитрона.

    лабораторная работа, добавлен 10.09.2015

  • Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.

    реферат, добавлен 23.05.2015

  • Характеристика типовых функциональных каскадов полупроводникового усилителя. Преобразование энергии источника питания в энергию выходного сигнала. Большие искажения при передаче на большие расстояния. Трудность долговременного хранения результатов.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Описание конструкции прототипа сцинтилляционного детектора. Результаты его испытаний на пучке протонов. Зависимость амплитуды диода от положения частицы в детекторе Оценка эффективности регистрации нейтронов для разных значений потерь их энергии.

    статья, добавлен 31.10.2018

  • Изучение сущности коэффициента Зеебека. Анализ смысла явления Пельтье. Проведение измерений физических величин и оценка их погрешностей. Определение количества теплоты Томсона. Описание конструкции и принципа работы полупроводникового термогенератора.

    лабораторная работа, добавлен 07.09.2015

  • Создание сложных схем для улучшения технико-экономических показателей выпрямителей. Оценка изменившиеся условий работы вентилей и трансформаторов. Модель шестипульсовой нулевой схемы выпрямления параллельного типа. Осциллограммы кривых токов диода.

    лабораторная работа, добавлен 05.04.2015

  • Область применения радиоэлектронного компонента из полупроводникового материала, позволяющего входным сигналом управлять током в электрической цепи. История сознания полупроводников и открытия транзисторного эффекта. Классификация токовых триодов.

    реферат, добавлен 03.11.2014

  • Взаимодействие заряженных тел. Сущность закона Кулона. Понятие напряженности электрического поля. Расчет количества теплоты на проводнике с сопротивлением. Вольтамперная характеристика диода. Классификационные признаки проводимости полупроводников.

    краткое изложение, добавлен 14.11.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.