Статический режим полупроводникового диода
Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
Подобные документы
Разработка нового способа управления компенсирующим устройством, с учетом изменения параметров сварочной машины в течение работы. Оценка его эффективности путем имитационного моделирования. Создание модели статического полупроводникового компенсатора.
автореферат, добавлен 10.08.2018Характеристика полупроводникового прибора, создающего оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Исследование основных свойств, принципа работы и преимуществ светодиодов. Спектр излучения светодиода и его влияние на зрение.
реферат, добавлен 24.11.2014Основные требования, предъявляемые к релейной защите. Описание ячейки электродвигателя с напряжением 6 кВ. Внедрение фотоуправляемого полупроводникового реле. Испытание силовой части электрооборудования и блока микропроцессорной релейной защиты.
диссертация, добавлен 24.05.2018Описание устройства и определение назначения светодиода как полупроводникового прибора, излучающего некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Изучение особенностей и отличий светодиода от электромагнитных источников света.
доклад, добавлен 03.11.2012Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Определение сопротивления диода постоянному току. Вычисление напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах. Расчет крутизны полевого транзистора. Характеристика второго закона Кирхгофа. Главный анализ схем с использованием операционных усилителей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Особенность разработки полупроводникового фотоэлектрического генератора, непосредственно преобразующего энергию солнечной радиации в электрическую. Характеристика рассмотрения эффективности использования солнечных батарей в Нижегородской области.
статья, добавлен 22.04.2019Расчет угла открывания тиристора, выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Построение внешних показателей выпрямителя, регулировочная характеристика системы импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Основные свойства материала, методы получения монокристалла. Расшифровка марки материала и методы его получения. Вывод распределения примеси. Выбор технологических режимов и размеров установки. Расчет легирования кристалла и определение массы примеси.
курсовая работа, добавлен 30.01.2014Ознакомление со специфическими особенностями энергетического разрешения полупроводникового детектора. Рассмотрение и характеристика структуры спектрометрических и нейтронных детекторов. Исследование и анализ потерь энергии на фотоядерные взаимодействия.
курсовая работа, добавлен 12.11.2015- 87. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Понятие электронно-лучевой трубки, особенности управления лучом. Определение термина "вакуум", возможности электрического тока. Вольтамперная характеристика вакуумного диода, его использование для выпрямления переменного тока. Свойства электронных пучков.
реферат, добавлен 13.06.2015Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Синтез свойств углеродных нанотрубок. Изучение капиллярных явлений. Анализ удельного электрического сопротивления полупроводникового материала. Суть полевой эмиссии и экранирования электронов. Изготовление светодиодов на основе органических материалов.
контрольная работа, добавлен 24.04.2017Выбор силовых полупроводниковых приборов проектируемого выпрямителя. Расчет элементов пассивной защиты силовых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Синхронизирующая оптронная развязка. Генератор пилообразного напряжения. Расчёт компаратора.
курсовая работа, добавлен 18.11.2017Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 24.12.2013- 93. Типы диодов
Параметры и характеристики диодов, их классификация и функциональные особенности. Основные статические и динамические параметры данных устройств. Физические закономерности, положенные в основу их работы, схемы выпрямления. Схема двуполярного питания.
реферат, добавлен 27.06.2015 Свойства лазерного луча, принцип действия полупроводникового, химического, жидкостного лазеров и лазера на красителях. Применение лазерного луча в промышленности, технике и медицине. Возникновение и применение голографии, способы голографирования.
курсовая работа, добавлен 20.12.2017Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Расчет номинального значения напряжения питания стабилизатора, коэффициента сглаживания пульсаций. Определение мощностей, рассеиваемых резистором. Проверка работоспособности стабилизатора.
лабораторная работа, добавлен 15.05.2014Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.
реферат, добавлен 16.10.2011Экспериментальное исследование аналитического условия устойчивости электромеханической системы имитации поведения ветротурбины на базе привода постоянного тока, с учётом специфики силового полупроводникового преобразователя и системы управления.
статья, добавлен 07.02.2013Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012Механизмы взаимодействие альфа-частиц с веществом. Энергетическое разрешение полупроводникового детектора. Спектрометрические и нейтронные детекторы. Расчет пробега частиц. Моделирование прохождения элементарных частиц через вещество, метод Монте-Карло.
курсовая работа, добавлен 18.10.2017- 100. Датчик Холла
Принцип действия полупроводникового преобразователя силы электрического тока в напряжение. Направления применения датчика Холла в электрических машинах. Условия рационального использования генераторного датчика для целей автоматического измерения.
реферат, добавлен 02.05.2017