Источники излучения. Лазеры
Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
Подобные документы
Принцип работы лазера. Различные виды полупроводниковых лазеров. Применение лазерных инструментов в хирургии глаза, при диагностике заболеваний различных внутренних органов, при лечении варикозной болезни вен. Полупроводниковые лазерные скальпели.
реферат, добавлен 13.06.2014История создания и принцип работы лазера. Уникальные свойства лазерного излучения, монохроматичность и когерентность. Применение лазеров в технологических процессах. Использование лазерной дальнометрии в военной технике, принцип работы дальномера.
реферат, добавлен 15.12.2014Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Характеристики и параметры оптоэлектронных элементов и устройств: источники и приемники оптического излучения, оптроны, индикаторные устройства. Физические основы работы, конструкция и технологии изготовления, области применения оптоэлектронных приборов.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Особенности лазерного излучения. Газовые и полупроводниковые лазеры. Принцип работы МО накопителя. Область применения и перспективы развития. Применение лазеров в военной технике: принципы наземной локации, голографических индикаторов на лобовом стекле.
реферат, добавлен 29.08.2015Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Важнейшие причины удивительных свойств лазерного луча. Характеристика главных типов лазеров. Основной анализ направлений по внедрению световой техники в военное дело. Особенность качеств электромагнитных волн. Сущность параметров и назначения локаторов.
реферат, добавлен 08.02.2015Этапы и перспективы развития оптической электроники. Достоинства оптоэлектронных приборов. Элементы оптоэлектронной цепи. Оптический диапазон спектра электромагнитных волн, характеристики излучения. Принцип работы полупроводникового инжекционного лазера.
лекция, добавлен 24.10.2024Селенид цинка как один из типичных представителей соединения А2В6, его использование в качестве активной среды лазеров, экранов цветного телевизора, оптических модуляторов света и других оптоэлектронных приборов. Свойства исследуемых гетероструктур.
статья, добавлен 30.12.2016- 11. Импульсно-периодические источники перестраиваемого излучения для ультрафиолетового диапазона спектра
Исследование генерации второй гармоники излучения лазеров на красителях с ламповой накачкой в различных спектральных диапазонах, его практическое применение. Выбор типа и длины нелинейного кристалла и вычисление степени фокусировки основного излучения.
статья, добавлен 23.10.2010 Определение и классификация лазеров по безопасности. Твердые лазеры на люминесцентных средах. Газовые и полупроводниковые лазеры. История лазерных проекционных телевизоров. Принцип действия лазерных кинескопов. Лазерный проектор и его применение.
реферат, добавлен 25.01.2010Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Характеристика оптической цифровой памяти и лазерных печатающих устройств. Интеграция лазеров в микроэлектронные переключательные схемы. Принцип действия лазерного принтера. Процесс оптической передачи информации в различных информационных средах.
реферат, добавлен 10.06.2010Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Электрические и магнитные цепи. Электромагнитные устройства и электрические машины. Элементная база электронных устройств. Основы аналоговой и цифровой электроники. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Расчет сглаживающего фильтра.
методичка, добавлен 26.09.2017