Электрические переходы в полупроводниках
Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
Подобные документы
Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней. Эффект индуцированной примесной фотопроводимости. Термооптические переходы и двойные оптические переходы. Оптическая перезарядка примесных центров. Эффект отрицательной фотопроводимости.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Защита от перегрузки. Питание источника опорного напряжения от входного, а не выходного напряжения. Импульсные стабилизаторы напряжения. Применение операционных усилителей в стабилизаторах. Температурный коэффициент выходного напряжения стабилизатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Разработка структурной и функциональной схемы динамического компенсатора искажения напряжения с многоуровневой системой. Определение требований к динамическому компенсатору искажения напряжения, нагрузке, LC-фильтрам, вольт-добавочным трансформаторам.
статья, добавлен 12.01.2018Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.
курсовая работа, добавлен 14.04.2017Конструкция, максимальная рабочая частота варикапа, сферы применения. Коэффициент перекрытия по ёмкости. Построение вольт-фарадной характеристики. Расчет основных геометрических параметров. Дифференциальное сопротивление в рабочем диапазоне напряжений.
курсовая работа, добавлен 28.12.2019Плавные переходы с микрополосковой на однополосковую линию. Рассмотрение планарной и непланарной конструкции перехода. Анализ распределения амплитуды электрического поля на частоте 31 ГГц при возбуждении перехода со стороны микрополосковой линии.
статья, добавлен 04.11.2018Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
презентация, добавлен 20.07.2013Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Вольт-амперная характеристика диода. Применение двухполупериодного выпрямителя. Фильтры в источниках питания. Расщепление напряжения питания. Схема выпрямителей с умножением напряжения. Пример использования диодов. Индуктивные нагрузки и диодная защита.
лекция, добавлен 09.12.2013Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
методичка, добавлен 29.11.2012Методика расчета дискретного силового тиристора. Выбор материала и расчет параметров конструкции. Расчет диаметра тиристорного элемента и вольт-амперной характеристикии, выбор конструкции корпуса. Технологическая реализация проектируемого тиристора.
курсовая работа, добавлен 18.05.2012Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Построение усилителя с большим коэффициентом усиления. Метод дифференциального каскада. Коэффициент ослабления синфазного сигнала. Напряжение смещения нуля. Температурная чувствительность напряжения смещения нуля. Верхний предел частотной характеристики.
лекция, добавлен 30.07.2013Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
лекция, добавлен 26.10.2013Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011- 46. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Коэффициент гармонических искажений как величина, равная отношению среднеквадратичного напряжения суммы высших гармоник, к напряжению первой при воздействии на вход устройства синусоидального сигнала. Построение нагрузочной прямой переменного тока.
реферат, добавлен 14.11.2014Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Физическая сущность сверхпроводимости в полупроводниках. История открытия данного явления. Свойства сверхпроводников I и II рода. Влияние магнитного поля на сверхпроводящее состояние вещества. Перспективы применения сверхпроводниковых технологий.
реферат, добавлен 10.01.2014