Электрические переходы в полупроводниках
Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
Подобные документы
Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Понятие и сущность биполярного транзистора, принцип его работ, топология и вертикальное сечение. Структура интегрального конденсатора выполненного по биполярной технологии. Передаточная характеристика логического вентиля, температурная зависимость.
учебное пособие, добавлен 26.12.2014Технологические методы создания электронно-дырочного перехода. Определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Внешний фотоэффект и его применение в фотодиодах.
дипломная работа, добавлен 11.01.2011Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020Регулируемый стабилизатор положительного напряжения. Электрические характеристики LM317. Графики, показывающие работу стабилизатора. Типовая схема включения LM317. График выходного тока в зависимости от входного-выходного дифференциального напряжения.
контрольная работа, добавлен 24.12.2013Сила тока возбуждения с учётом падения напряжения на транзисторе. Расчёт электрической схемы и температурная стабильность бесконтактного транзисторного регулятора напряжения. Определение сопротивления делителя. Мощность, рассеиваемая транзистором.
контрольная работа, добавлен 03.02.2016Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.
статья, добавлен 03.11.2018Экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик электронной пушки, выполненной в трехэлектродном варианте. Применение электронной пушки в электронно-лучевых приборах общего назначения. Выбор режимов напряжений на фокусирующих электродах.
статья, добавлен 29.09.2016Подання характеристики радіовимірювального перетворювача витрат газу з частотним виходом у вигляді автогенераторної схеми з витраточутливим елементом на основі біполярного транзистора. Визначення вольтамперної характеристики та частоти генерації.
статья, добавлен 27.07.2016Нелинейный радиолокатор как основное техническое средство, которое применяется для защиты информации по поиску и обнаружению электронных закладных устройств. Методы расчета статических аппроксимирующих вольт-амперных характеристик нелинейного объекта.
статья, добавлен 03.05.2019Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014Применение датчиков температуры. Электрические измерительные преобразователи, коэффициенты уравнения идеальной линейной характеристики и погрешности. Разрядность аналого-цифрового преобразования. Способ подключения термопреобразователя сопротивления.дных
контрольная работа, добавлен 16.11.2011Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Методи визначення статичного опору для прямого, зворотного напряму напівпровідникового діода при різних значеннях прикладеної напруги. Формула для розрахунку динамічного опору даного електронного елементу в певній точці вольт-амперної характеристики.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Сверхпроводимость, ферромагнетизм и эффект Андреевского отражения. Применение гибридных структур в устройствах памяти. Вольт-амперные характеристики и плотности состояний SIFS-контакта. Рассчет зависисмости критического тока от толщины F-слоя в контакте.
дипломная работа, добавлен 15.09.2018Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Включение p-n-перехода в обратном направлении. Обратный ток неосновных носителей. Обратное смещение p-n-перехода. Однонаправленная проводимость перехода. Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении. Понятие теплового тока.
презентация, добавлен 20.07.2013Анализ вариаций тока сверхпроводникового смесителя ТГц диапазона волн, применяемого для криостатирования сверхпроводниковых приемников. Оценка методов сглаживания температурных пульсаций. Влияние работы охладителя на режим охлаждаемого смесителя.
статья, добавлен 03.11.2018Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
лекция, добавлен 06.09.2017Дослідження впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Аналіз методики отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури, підтвердження її ефективності.
статья, добавлен 27.07.2016Выбор структурной схемы электронного регулятора напряжения. Регулирование тока в обмотке возбуждения. Схема усилителя мощности и регулирующего элемента. Эмиттерный переход транзистора. Снижение динамических потерь в РЭ. Амплитудное значение мощности.
лекция, добавлен 16.11.2014Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021