Эмиссионная электроника
Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Плотность энергетических уровней. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях.
Подобные документы
Понятие электроники в физике и технике. Характеристика и предназначение усилителя мощности, особенности его применения в звуковой технике. Выбор и расчет элементов усилительного каскада, расчет источника питания и сущность моделирования приборов.
курсовая работа, добавлен 12.08.2011Классификация магнитных компасов, основные требования к их размещению. Системы дистанционной передачи информации. Варианты построения индукционного магнитного компаса, техническое обслуживание. Особенности устранения девиации в индукционных компасах.
курсовая работа, добавлен 13.04.2016Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
лабораторная работа, добавлен 31.10.2009Переход на субмикронную и частично глубокую субмикронную технологии. Системы на кристалле, в корпусе и на подложке. Базовые технологии и их ограничения. Проектирование микросхем с низковольтным питанием. Микросхемотехника аналого-цифровых СФ блоков.
реферат, добавлен 03.03.2011Описание сигнальных процессоров серии "Мультикор" - однокристальных программируемых многопроцессорных "систем на кристалле" на базе IP-ядерной платформы, разработанной в ГУП НПЦ "Элвис". Архитектура микросхем по организации потоков данных и инструкций.
отчет по практике, добавлен 21.07.2012Современная микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, при которой каждый элемент схемы формируется отдельно в полупроводниковом кристалле. Повышение степени интеграции микросхем и уменьшение размеров элементов.
реферат, добавлен 30.12.2008Функциональное состояние нервно-мышечного аппарата. Стимуляционная электромиографии. В основе лежит исследование прямого мышечного ответа, возникающего при электрическом раздражении периферического нерва из-за ортодромного распространения возбуждения.
реферат, добавлен 03.01.2009- 58. Герконовое реле
Общие сведения о герконах и реле на герконах. Особенности их конструкции. Расчет магнитных проводимостей, противодействующей характеристики обмотки. Определение времени срабатывания герконового реле. Расчет серии реле на различное число контактов.
курсовая работа, добавлен 14.12.2014 Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
реферат, добавлен 29.06.2015- 60. Электроника
Сравнительная таблица формул для приближенного расчета параметров разных схем однофазных выпрямителей. Типы вентилей. принцип работы параллельно-балансного (дифференциального) каскада усилителя постоянного тока (УПТ). Полупроводниковые, пленочные ИС.
контрольная работа, добавлен 14.01.2008 Описание принципа работы И-НЕ схемы на n-МОП транзисторах, расчет параметров ее элементов, изображение ее топологии. Технологический процесс для n-канального МОП-прибора с металлическим затвором. Произведение вычислений с помощью программы P-Spice.
курсовая работа, добавлен 26.10.2011Причины, способствовавшие зарождению и развитию электроники. Микроволновые диоды, принцип действия и элементы маркировки, конструктивные оформления. Вычисления для потерь преобразования в последовательной схеме. Частотные ограничения, присущие СВЧ-диодам.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015Тенденции к миниатюризации и переходу к нанометровым размерам в современной электронике. Физические основы зондовой нанотехнологии. Методы формирования нанорельефа. Совместное использование лазера и сканирующего электронного микроскопа в нанолитографии.
реферат, добавлен 14.01.2017Развитие элементной базы основано на потребностях СМЭ, достижениях физики, технологии, производства. Микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, а каждый элемент схемы формируется в полупроводниковом кристалле.
реферат, добавлен 09.01.2009Формула габаритной мощности при проведении расчетов и конструировании трансформаторов, их нагрузочные характеристики и КПД. Особенности конструкции и работы дросселей в цепях электропитания. Принцип действия и рабочие конструкции магнитных усилителей.
реферат, добавлен 10.02.2009Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация, добавлен 29.11.2013Системы счисления в цифровых устройствах. Теоремы, логические константы и переменные операции булевой алгебры. Назначение, параметры и классификация полупроводниковых запоминающих устройств, их структурная схема. Процесс аналого-цифрового преобразования.
курсовая работа, добавлен 21.02.2012- 68. Электроника
Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка, добавлен 11.12.2012 Определение требуемой ширины полосы частот ФП и длительности тактового интервала. Особенности расчета минимальной мощности оптического излучения на входе фотоприемника. Выбор типа транзистора входного каскада усилителя ФПУ. Выбор необходимого фотодиода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2013- 70. Наноэлектроника
История развития нанотехнологии. Наноэлектронные приборы и устройства. Разработка основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых. Проблемы и перспективы развития нанонауки (электроники и оптоэлектроники) в России.
реферат, добавлен 12.11.2016 Изучение устройства и отработка приемов работы с контрольно-измерительной аппаратурой при электрическом способе взрывания зарядов. Правила обращения и приемы работ по измерению сопротивлений электровзрывных цепей. Шкала и схема реохорда моста Р–353.
лабораторная работа, добавлен 30.04.2014Принцип работы полевого транзистора. Методы обеспечения большого коэффициента передачи тока. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Структура и эквивалентная электрическая схема элемента инжекционно-полевой логики с диодами Шотки.
реферат, добавлен 12.06.2009- 73. Электроника
Анализ и расчет схемы, состоящей из идеального источника напряжения треугольной формы с заданными параметрами, резистора и стабилитрона. Построение временных диаграмм сигналов. Определение режима покоя и расчет цепи смещения для усилительного каскада.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013 Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция, добавлен 24.01.2014Сущность и характеристика излучения, его разновидности и вычисления. Основные особенности пространственной структуры излучения. Проекции волновых векторов на координатные оси. Фазочная и амплитудно-частотная характеристика свободного пространства.
реферат, добавлен 28.01.2009