Производство полупроводниковых приборов
Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
Подобные документы
Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.
курсовая работа, добавлен 21.08.2015Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
курсовая работа, добавлен 18.10.2009Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа, добавлен 19.02.2012Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций, добавлен 11.01.2013Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.
курсовая работа, добавлен 19.05.2011Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Обзор применения импульсных дальномеров-высотомеров на основе полупроводниковых лазеров для контроля объектов подстилающей поверхности. Методы повышения точности временной фиксации принимаемого сигнала. Расчет безопасности лазерного высотомера ДЛ-5.
дипломная работа, добавлен 14.03.2016Представление информации в цифровых устройствах, кодирование символов и основы булевой алгебры. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств. Базовая структура микропроцессорной системы, ее функциональное назначение и способы передачи данных.
учебное пособие, добавлен 19.12.2011Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация, добавлен 19.02.2014Схема выпрямителя, график токов и напряжений. Фильтры, используемые в устройствах электропитания. Принципиальная схема выпрямителя. Выбор полупроводниковых диодов. Рекомендации по монтажу и модернизации схемы. Частота пульсаций выпрямленного напряжения.
реферат, добавлен 21.06.2015Классификация и конструкция светодиодов. Светодиоды на основе карбида кремния, на основе структур AIIIBV. Перспективы применения полупроводниковых светодиодов в качестве источников света для сигнализации, отображения и передачи информации, освещения.
реферат, добавлен 20.10.2014Анализ полупроводниковых выпрямительных устройств. Силовая часть однофазного управляемого выпрямителя. Регулировочная характеристика управляемого выпрямителя. Функциональная и принципиальная схемы системы управления однофазного лабораторного модуля.
курсовая работа, добавлен 29.03.2015Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.
дипломная работа, добавлен 06.12.2015Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 13.11.2012Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Выбор и обоснование структурной и принципиальной схемы стабилизатора постоянного напряжения. Защита полупроводниковых стабилизаторов напряжения на основе операционного усилителя от перегрузок по току и короткому замыканию. Расчет регулирующего элемента.
курсовая работа, добавлен 09.07.2014- 94. Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем"
Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.
дипломная работа, добавлен 20.06.2012 Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.
реферат, добавлен 26.01.2013Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.
контрольная работа, добавлен 02.12.2010Параллакс и его устранение. Продольный, поперечный, угловой параллакс. Параллактический угол. Юстировка оптических приборов. Сборка телескопических приборов. Диафрагмирование. Прицельные и измерительные приборы. Фокальная плоскость. Коллиматор.
реферат, добавлен 22.11.2008Составление расчетной электрической схемы. Расчет токов в исследуемой электрической цепи. Проверка выполнения законов Кирхгоффа. Выбор измерительных приборов и схема включения электроизмерительных приборов. Схемы амперметров выпрямительной системы.
курсовая работа, добавлен 24.01.2016Описание принципиальной схемы автомата включения освещения. Анализ элементной базы и применяемых в устройстве полупроводниковых элементов. Габаритные размеры симистора КУ208Г. Микросхема К561ЛА7 логики КМОП, ее маркировка, распиновка, цоколевка и корпус.
курсовая работа, добавлен 28.12.2015Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация, добавлен 29.05.2010