Выращивание монокристалла с заданными свойствами
Основные свойства материалов. Обзор современного состояния производства полупроводниковых соединений. Расчет легирования кристалла. Технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Допущения Пфанна и Боомгардта.
Подобные документы
Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014Назначение и классификация роботизированных технологических комплексов (РТК). Место РТК в гибкой автоматизации производства. Основные схемы взаимодействия промышленных роботов с основным и вспомогательным оборудованием. Основные технологические операции.
контрольная работа, добавлен 04.06.2010Конструкторско-технологический анализ элементной базы функциональной ячейки вычислительного модуля. Выбор компоновочной схемы. Расчет площади печатной платы, определение вибропрочности конструкции. Технологический процесс сборки и монтажа ячейки модуля.
дипломная работа, добавлен 29.11.2014Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция, добавлен 20.01.2010- 56. Резисторы
Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа, добавлен 13.01.2009 Общий вид, структурная схема и технические характеристики блока цветности телевизора. Расчет эксплуатационных параметров блока. Технологическая последовательность настройки и регулировки блока цветности, выбор оборудования, инструментов, приспособлений.
курсовая работа, добавлен 28.03.2017Оценка данных технической разведки и условий производства восстановительных работ. Решение на восстановление кабельной линии связи. Расчет длины кабеля для одной вставки. Расчет объёма земляных работ. Определение потребности восстановительных материалов.
практическая работа, добавлен 30.07.2010Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа, добавлен 24.06.2015Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция, добавлен 17.02.2011Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2016- 63. Электроника
Анализ и расчет схемы, состоящей из идеального источника напряжения треугольной формы с заданными параметрами, резистора и стабилитрона. Построение временных диаграмм сигналов. Определение режима покоя и расчет цепи смещения для усилительного каскада.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013 Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.
курсовая работа, добавлен 19.05.2011Обзор домашних метеостанций. Тенденции развития домашней метеостанции. Анализ схемы электрической принципиальной. Разработка технического задания. Технологический процесс сборки домашней метеостанции. Технико-экономическое обоснование разработки.
дипломная работа, добавлен 03.08.2014Методы создания монтажных соединений. Классификация методов выполнения электрических соединений. Схема измерения падения напряжения в зоне контакта. Накрутка и обжимка. Формы поперечного сечения выводов. Виды соединений накруткой. Схемы для расчетов.
реферат, добавлен 16.12.2008Выполнение разъемных соединений: соединение винтом с конической и с цилиндрической головкой, резьбовое и стопорение шплинтами. Предохранение винтовых соединений. Выполнение неразъемных соединений: заклёпками, с натягом и завальцовка оптических деталей.
реферат, добавлен 09.11.2008Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2013Обзор домашних метеостанций. Разработка технического задания на прибор. Расчет топологических характеристик печатной платы. Проектирование лицевой панели. Расчет теплового режима блока. Анализ технологичности конструкции. Определение типа производства.
дипломная работа, добавлен 27.06.2014Расчет и построение зависимости поля и передающей антенны: в свободном пространстве; на трассе от усреднённого угла наблюдения, длины, неровностей, непрозрачных препятствий, влажности. Определение ЭДС на входе приёмной антенны в зависимости от ее высоты.
курсовая работа, добавлен 23.09.2011Анализ CAD и CAM технологий. Технологический процесс производства штамповой оснастки ИП "Суслова". Возможность применения САПР NX Unigraphics. Автоматизация подготовки управляющих программ для станков с ЧПУ. Построение инфраструктуры обмена данных.
дипломная работа, добавлен 02.09.2013- 72. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для получения наноразмерных структур БГУИР Кр 1-41 01 04 010 Пз
Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.
курсовая работа, добавлен 14.05.2016 Описание принципа работы И-НЕ схемы на n-МОП транзисторах, расчет параметров ее элементов, изображение ее топологии. Технологический процесс для n-канального МОП-прибора с металлическим затвором. Произведение вычислений с помощью программы P-Spice.
курсовая работа, добавлен 26.10.2011Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Получение ряда вторичных напряжений, электрически не зависимых друг от друга и от питающей сети с помощью трансформатора питания. Расчет трансформатора питания с заданными параметрами. Анализ условий эксплуатации. Расчет конструкции и необходимых деталей.
курсовая работа, добавлен 14.03.2010