Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология
Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
Подобные документы
Климатические воздействия при эксплуатации РЭСИ подразделяют на естественные и искусственные. Микроэлементы и интегральные микросхемы, находящиеся в зоне воздействия радиоактивных излучений, могут существенно изменять свои параметры и выходить из строя.
реферат, добавлен 14.01.2009Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
контрольная работа, добавлен 07.05.2013Конструкция современной ЭВМ. Требования по условиям эксплуатации. Интегральные микросхемы, используемые в печатной плате. Разработка конструкции блока. Задачи компоновки и покрытия. Критерии оптимального размещения модулей. Расчет теплового режима.
курсовая работа, добавлен 16.08.2012Классификация типов электрических моделей и моделирования интегральных схем. Основной задачей моделирования интегральной схемы является оптимальный синтез ее принципиальной электрической схемы (модели). Дискретные логические схемы. Параметры и типы схем.
реферат, добавлен 12.01.2009- 31. Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета
Резисторы, конденсаторы их суть понятие и характеристика. Полупроводниковое соединение резисторов и конденсаторов. Топологическое решение и методы расчета. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупроводник. Коэффициент паразитной емкости.
реферат, добавлен 11.12.2008 Краткие сведения из теории полупроводниковой электроники. Принцип работы и технические характеристики интегральных микросхем с тремя логическими состояниями и с открытым коллектором. Методика выполнения логических функций на логических элементах.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2009Расчет температуры корпуса и пакета плат одноблочной ЭВМ. Схема соединения тепловых сопротивлений. Способ монтажа микросхем на плате. Определение теплового сопротивления при передаче тепловой энергии (теплоты) кондукцией для микросхемы, способы улучшения.
лабораторная работа, добавлен 08.11.2012Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация, добавлен 24.05.2014Акселерометр как прибор, измеряющий проекцию кажущегося ускорения. Характеристика микросхемы ADXL150. Основные особенности интегральных и пленочных пьезоэлектрических акселерометров. Анализ конструкции датчика ускорения микросхемы семейства XMMA.
реферат, добавлен 22.10.2012Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Теоретические сведения об указателях скорости и высоты полета. Применение аналого-цифровых преобразователей, кремниевых датчиков давления. Микросхемы управления цифро-буквенными индикаторами. Расчет количества проводов, мощности и надежности системы.
дипломная работа, добавлен 12.12.2011Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
дипломная работа, добавлен 01.11.2010Изучение электрорадиоэлементов, которые включают соединители, резисторы, конденсаторы, индуктивности, и интегральных микросхем, включающих полупроводниковые и гибридные, устройства функциональной микроэлектроники. Оптическая запись и обработка информации.
курс лекций, добавлен 23.07.2010Последовательность этапов образования зародышей и роста пленки вплоть до образования непрерывной. Зарождение частиц новой фазы. Изменение формы островков в процессе их коалесценции. Образование каналов и их заполнение. Формирование сплошной пленки.
реферат, добавлен 25.04.2011Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.
курсовая работа, добавлен 17.05.2013Обоснование выбора датчика. Выбор микросхемы AD594, микроконтроллера. Блок–схема для программирования МК АТmega8. Подключение микросхемы к термопарам. Подключение одиночного и двойного питания. Схема соединения, обеспечивающая равенство температур.
курсовая работа, добавлен 23.12.2015Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 26.11.2009Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа, добавлен 17.02.2010Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
дипломная работа, добавлен 29.09.2010Пассивные пленочные элементы схем. Номинальное сопротивление резистора. Сосредоточенные пленочные резисторы. Проектирование тонкопленочных резисторов. Наиболее применяемые в технике топологии резисторов. Параллельные и последовательные конденсаторы.
реферат, добавлен 15.12.2015Основы метода контурных токов. Решение системы контурных уравнений. Теорема взаимности. Свойства резистивных цепей и область их применения. Режим постоянного тока в электрических цепях. Понятие магазина затухания. Особенности реактивных элементов цепи.
реферат, добавлен 12.03.2009Разработка и реализация устройства селекции бинарной подпоследовательности символов из бесконечной бинарной последовательности. Выбор микросхемы регистра сдвига. Методы отладки модели УСПБ, генератор слов. Выбор микросхемы для реализации блока индикации.
курсовая работа, добавлен 08.01.2016Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа, добавлен 08.03.2010