Физические основы электроники
Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
Подобные документы
Тенденции к миниатюризации и переходу к нанометровым размерам в современной электронике. Физические основы зондовой нанотехнологии. Методы формирования нанорельефа. Совместное использование лазера и сканирующего электронного микроскопа в нанолитографии.
реферат, добавлен 14.01.2017Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа, добавлен 27.07.2013Основные контролируемые параметры электронно-оптических преобразователей (ЭОП). Интегральная чувствительность (чувствительность с фильтром) фотокатода, коэффициент преобразования, предел разрешения, рабочее разрешение, электронно-оптическое увеличение.
реферат, добавлен 26.11.2008Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 22.11.2010Спектральное представление стационарно-однородных случайных и детерминированных полей со сплошным частотным спектром: свойства, одномерные и многомерные гармонические функции. Условия стационарности, спектр мощности и автокорреляция случайного процесса.
реферат, добавлен 12.12.2013Физические основы и средства радионуклидной интроскопии. Использование радиоактивных изотопов в медицине для диагностики и терапии. Технология изготовления сцинтилляционных кристаллов. Устройство и важнейшие аналоговые узлы эмиссионного томографа.
реферат, добавлен 13.01.2011Идея создания и применения оптронов. Физические основы оптронной техники. Измерения оптоэлектронными многоканальными системами. Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Структура германата висмута.
дипломная работа, добавлен 25.10.2012Коммутационные элементы, предназначенные для включения, отключения и переключения электрических цепей. Цепи автоматики и электроники. Электрические параметры кнопок управления различных типов. Кнопки управления и тумблеры, путевые и конечные выключатели.
реферат, добавлен 30.12.2009Ультразвуковые аппараты для интроскопии. Физические основы УЗ визуализации. Коэффициенты затухания ультразвука в биологических средах. Конструкции и технологии датчиков. Моментный двигатель постоянного тока. Передача движения на пьезопреобразователь.
реферат, добавлен 14.01.2011Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Изучение радиотехнических систем передачи информации. Назначение и функции элементов модели системы передачи (и хранения) информации. Помехоустойчивое кодирование источника. Физические свойства радиоканала как среды распространения электромагнитных волн.
реферат, добавлен 10.02.2009Радиосвязь как передача и прием информации с помощью радиоволн, распространяющихся в пространстве без проводов, ее разновидности и сферы практического применения на сегодня. Физические основы телевизионной передачи изображений. История изобретения радио.
презентация, добавлен 23.04.2013Общие сведения, виды, основные и динамические характеристики несущих конструкций. Конструктивные способы повышения жесткости и расчет жесткости несущих систем. Методы защиты технологического оборудования от механических, магнитных и тепловых воздействий.
реферат, добавлен 02.11.2008Основное требование безискаженной передачи сигналов: функция группового времени задержки должна быть частотно независимой величиной. Физические свойства усилителей, фильтров и проводных линий. Причины возникновения амплитудных и фазо-частотных искажений.
реферат, добавлен 24.06.2009Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.
презентация, добавлен 24.05.2014Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
курсовая работа, добавлен 14.07.2012Назначение, преимущества, расчет технических параметров светоизлучающих диодов (СИД). Внешний квантовый выход и потери излучения. СИД как элемент электрической цепи и как элемент оптрона. Излучательная, спектральная, оптическая характеристики СИД.
курсовая работа, добавлен 04.03.2009Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.
реферат, добавлен 09.03.2007- 69. Контроллеры
Архитектура программируемых логических контроллеров, вспомогательные интерфейсы. Модули ввода-вывода контроллера Adam-8000. Series 90-30: концепция, особенности. Степень защиты от воды и твердых тел. Коррозионная и химическая стойкость растворителей.
методичка, добавлен 14.10.2013 Понятие и функциональные особенности прибора с зарядовой связью (ПЗС). Физические основы работы и конструкции ПЗС. Понятие и характеристика формирователя сигналов изображений (ФСИ). Строчные и матричные ФСИ на ПЗС. Перспективы развития ФСИ на ПЗС.
реферат, добавлен 16.08.2010Принцип действия и область применения сцинтилляционного счетчика. Калибровка сцинтилляционных спектрометров. Крепление и монтаж твердых сцинтилляторов. Монокристаллические сцинтилляторы из антрацена и стильбена. Амплитудные анализаторы импульсов.
реферат, добавлен 28.09.2009Технические характеристики нелинейного локатора Буклет-2. Физические основы нелинейной электромагнитной локации. Мощность передатчика. Составление структурной схемы устройства. Расчёт входной цепи. Малошумящий усилитель. Полосовые фильтры радиочастоты.
дипломная работа, добавлен 19.12.2013Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Физические основы электрокардиографии. Виды помех и их устранение. Погрешности измерения амплитудно-временных параметров ЭКГ. Разработка имитатора сигналов: узел контроля напряжения батареи, расчет блока питания. Проведение поверки электрокардиографа.
магистерская работа, добавлен 05.02.2012Меры противодействия информационным угрозам. Акустические и виброакустические каналы утечки речевой информации. Разновидности радиолокационной разведки. Классификация методов и средств защиты информации от радиолакационных станций бокового обзора.
презентация, добавлен 28.06.2017