Физические основы электроники
Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
Подобные документы
Изучение температурной зависимости подвижности и проводимости носителей заряда в полупроводниках. Основные электрофизические свойства кремния и германия, мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2013Оптические явления на границе раздела двух сред. Полное внутреннее отражение. Оптические волноводы. Особенности волноводного распространения. Нормированная переменная. Прямоугольные волноводы. Модовая дисперсия. Системы волоконно-оптической связи.
контрольная работа, добавлен 23.09.2011Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Хранение больших объемов данных на внешних магнитных носителях. Произвольный метод доступа и управления RAMAC, физическая ёмкость дисков. Расхождение между двоичными значениями и десятичными в понимании единиц измерения ёмкости дисков и накопителей.
реферат, добавлен 21.01.2010Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Модель волоконно-оптической системы передачи. Классификация оптоэлектронных компонентов. Детекторы светового излучения. Оптические разъемы, сростки и пассивные оптические устройства. Определение функциональных параметров, типы и вычисление потерь.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Понятие гетеро- и гомоперехода между проводниками, их отличительные признаки и свойства, основные характеристики. Открывающиеся возможности при реализации гетероперехода. Сущность и техническая основа оптоэлектроники. Достоинства гетерофотодиодов.
реферат, добавлен 31.05.2010Работа оптоэлектронных приборов основана на электронно-фотонных процессах получения, передачи и хранения информации. Одним из оптоэлектронных приборов является оптрон, принцип действия которого состоит в преобразовании электрического сигнала в оптический.
реферат, добавлен 07.01.2009Принцип работы оптического волокна, основанный на эффекте полного внутреннего отражения. Преимущества волоконно-оптических линий связи (ВОЛС), области их применения. Оптические волокна, используемые для построения ВОЛС, технология их изготовления.
реферат, добавлен 26.03.2019- 111. Основы электроники
Расчет контактной разности потенциалов для р-n перехода. Вычисление сопротивления полупроводникового диода постоянному току. Балластное сопротивление и изменение напряжения источника питания. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.
практическая работа, добавлен 07.03.2013 Элементы оптических систем. Оптическая система – совокупность оптических сред, разделенных оптическими поверхностями, которые ограничиваются диафрагмами. Преобразование световых пучков в оптической системе. Оптические среды. Оптические поверхности.
реферат, добавлен 20.01.2009Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.
реферат, добавлен 13.06.2009Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа, добавлен 19.10.2009Разработка структурной схемы электронно-лучевого осциллографа. Методика расчета базовых усилительных каскадов и расчет элементов принципиальной электрической схемы. Выбор тактового генератора - кварцевого автогенератора с буферным выходным элементом.
курсовая работа, добавлен 12.03.2013Физико-химические основы гомогенного и гетерогенного зарождения и роста новой фазы, химический рост эпитаксиальных пленок. Термодинамика поверхностных процессов. Электрофизические характеристики соприкасающихся поверхностей и границ раздела слоев.
курсовая работа, добавлен 30.01.2011Принцип действия оптических рефлектометров – принцип локатора. Рефлектометр регистрирует отраженный (рассеянный назад) сигнал в координатах: принимаемая мощность – время (расстояние) и измеряет его параметры. Структурные схемы оптических рефлектометров.
реферат, добавлен 23.01.2009Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Расчет токов резисторов и мощности, потребляемой цепью, по заданной схеме. Определение параметров неразветвленной цепи переменного тока с активными, индуктивными и емкостными сопротивлениями. Построение в масштабе векторной диаграммы напряжения и токов.
контрольная работа, добавлен 10.12.2010Стандартные одномодовые оптические волокна и их геометрические параметры, параметры передачи. Волокна со смещенной дисперсией; с минимизацией потерь в третьем окне прозрачности; с ненулевой смещенной дисперсией. Характеристика коэффициента затухания.
курсовая работа, добавлен 12.08.2013Основные свойства материалов. Обзор современного состояния производства полупроводниковых соединений. Расчет легирования кристалла. Технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Допущения Пфанна и Боомгардта.
курсовая работа, добавлен 02.04.2014Общая характеристика, основные параметры и схематическое изображение электронно-лучевых трубок. Осциллографические электронные трубки. Передающие телевизионные трубки с накоплением зарядов: иконоскоп, супериконоскоп, ортикон, суперортикон, видикон.
реферат, добавлен 29.05.2010Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.
дипломная работа, добавлен 06.12.2015Преимущества системы GPS в авиации. GPS-оборудование, используемое в авиации. GPS-приемник GNS 530/530A: описание оборудования; технические и физические характеристики. Принцип действия главного индикатора. Последовательность приема/передачи (RS-232).
реферат, добавлен 26.02.2011Особенности цоколевки электронно-оптических преобразователей, их селекция и контроль. Сборка узлов квантовых генераторов. Основные требования к оптической системе квантового генератора на твердом теле. Юстировка резонатора с вынесенными зеркалами.производ
реферат, добавлен 12.12.2008