Исследование вольт-амперной характеристики транзисторных структур распределенным p+-n переходом и активными контактами различных типов
Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
Подобные документы
Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.
реферат, добавлен 22.02.2009Определение напряжения открывания (переключения) транзисторов. Статические характеристики схемы при вариации напряжения питания. Длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки в сети для различных приборов.
контрольная работа, добавлен 23.12.2010Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Осуществление корреляции - метода приема сигналов с распределенным спектром. Характеристика шумоподобных сигналов. Выбор усилителя радиочастоты, смесителя, гетеродина, фазового детектора, коррелятора, системы синхронизации и обнаружения, компаратора.
курсовая работа, добавлен 00.00.0000Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора; классификация, схемы включения, вольт-амперные характеристики. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми приборами. Определение рабочей точки, технология изготовления, применение.
презентация, добавлен 14.11.2014Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.
лабораторная работа, добавлен 29.04.2012Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.
дипломная работа, добавлен 15.06.2015Дослідження характеру залежності струму колектора від напруги на колекторно-емітерному переході і струму бази для вихідних вольт-амперних характеристик транзистора. Використання досліджуваного транзистора 2Т909Б у широкосмугових підсилювачах потужності.
контрольная работа, добавлен 31.07.2010Степень опасности грозовых явлений для народного хозяйства и для авиации. Расчет и анализ повторяемости гроз в летний и переходный период. Сравнительная характеристика повторяемости гроз. Исследование физических процессов, протекающих в грозовых облаках.
дипломная работа, добавлен 11.10.2019Расчет элементов схемы несимметричного мультивибратора на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и каналом p-типа. Исследование типичных форм прямоугольных колебаний. Построение временных диаграмм мультивибратора на биполярных транзисторах.
контрольная работа, добавлен 21.09.2016Характеристики пропорционального звена. Методы математического описания линейных систем. Достоинство переходных характеристик по сравнению с другими математическими методами. Преимущества частотных характеристик звеньев в логарифмическом масштабе.
лабораторная работа, добавлен 05.04.2015Светодиод — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока: история создания, виды, классификация. Устройство светодиодных световых приборов, область применения.
реферат, добавлен 05.05.2013Одноелектронне тунелювання через невеликий тунельний контакт. Перешкоди у разi використання одноелектронного ящика як компонента електронного ланцюга. Особливості вольт-амперної характеристики одноелектронних приладів. Схемотехнiчний розгляд роботи ОЕТ.
курсовая работа, добавлен 26.06.2013Призначення, характеристики, основні вимоги до проектування та вибір режиму роботи резонансного підсилювача потужності. Вибір транзистора та схеми підсилювача, вольт-амперні характеристики транзистора. Схема резонансного підсилювача та його розрахунок.
курсовая работа, добавлен 30.01.2010Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров. Вольт-амперные характеристики диодных и триодных тиристоров. Порядок включения тринисторов в цепях постоянного тока. Схема устройства, выполняющего функции дверного кодового замка.
реферат, добавлен 25.06.2014Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа, добавлен 27.07.2013Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа, добавлен 23.01.2012Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа, добавлен 22.06.2011Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат, добавлен 27.05.2012Назначение и использование профессиональных и радиовещательных судовых приемников. Упрощённая структурная схема супергетеродина. Расчет усилителя промежуточной частоты. Функции фильтра сосредоточенной селекции. Расчет каскадов транзисторных приемников.
контрольная работа, добавлен 24.11.2014Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2014Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
реферат, добавлен 21.08.2015Основні тенденції розвитку сучасної радіоелектроніки. Основні характеристики та класифікція лінії передачі. Види щілинної лінії. Використання ліній передач з поперечною електромагнітною хвилею, з магнітною хвилею, з електричною та гібридною хвилею.
курсовая работа, добавлен 15.01.2014- 50. Усилители
Коэффициент усиления усилителя и диапазон частот входного сигнала. Нелинейные искажения для транзисторных каскадов. Выбор оконечных транзисторов, расчет Sт. Расчет элементов предусилителя. Проектирование блока питания. Выбор выпрямителя и схемы фильтра.
курсовая работа, добавлен 17.11.2013