Исследование вольт-амперной характеристики транзисторных структур распределенным p+-n переходом и активными контактами различных типов
Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
Подобные документы
Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа, добавлен 13.03.2013Виды транзисторных усилителей, основные задачи проектирования транзисторных усилителей, применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статические характеристики, дифференциальные параметры транзисторов и усилителей, обратные связи в усилителях.
реферат, добавлен 01.04.2010Диод как электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Его вольт-амперная характеристика. Основные типы диодов: выпрямительные, высокочастотные, переключающие, стабилитроны, сарикапы и диоды Шотки.
реферат, добавлен 22.02.2015- 4. Электроника
Проектирование транзисторных усилителей. Формы применения местных и общих отрицательных обратных связей при улучшении параметров усилителя. Анализ ёмкости переходных и блокировочных конденсаторов. Сущность входного сопротивления предварительного каскада.
курсовая работа, добавлен 22.12.2008 Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 08.11.2013Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа, добавлен 01.02.2012Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014Проявления нелинейности вольт-амперной характеристики при воздействии гармонического радиосигнала. Работа усилителя в режиме отсечки коллекторного тока; функции Берга в инженерных расчетах. Определение коэффициентов усиления гармоник коллекторного тока.
курсовая работа, добавлен 27.05.2013- 9. Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета
Резисторы, конденсаторы их суть понятие и характеристика. Полупроводниковое соединение резисторов и конденсаторов. Топологическое решение и методы расчета. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупроводник. Коэффициент паразитной емкости.
реферат, добавлен 11.12.2008 Принцип действия газонаполненных разрядников. Основные физические закономерности. Вольт-амперная характеристика разрядников. Статистическое запаздывание возникновения разряда. Термоэмиссия электронов с поверхности катода. Диапазон значений рабочего тока.
реферат, добавлен 31.10.2011Эквивалентное преобразование электрических схем. Расчёт транзисторных схем. Факторы схемотехнической реализации счетчика. Проектирование JK-, T-триггеров и четырехразрядного счётчика. Исследование схемы счетчика на сложение с последовательным переносом.
контрольная работа, добавлен 13.06.2012Описание работы каскада с указанием назначения элементов, построением токов и напряжений на вольт-амперных характеристиках транзистора. Обоснование выбора элементов схемы каскада по типу, допуску номинала, мощности, напряжению. Расчет элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 09.02.2014Характеристика особенностей логарифмического усилителя с температурной стабилизацией. Исследование возможностей построения термостабилизированного логарифмического усилителя с помощью интегральных транзисторных сборок. Анализ конструкции печатной платы.
контрольная работа, добавлен 25.09.2010Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.
презентация, добавлен 12.12.2013Методы расчета переходных процессов, протекающих в цепях второго порядка. Нахождение токов в ветвях и напряжения на всех элементах цепи классическим и операторным методами. Построение графиков зависимости токов и напряжений от времени для двух коммутаций.
реферат, добавлен 22.02.2016Амплитудная модуляция и приём сигналов. Структурная схема передатчика. Характеристики антенно-фидерных устройств. Мостовой балансный модулятор. Устойчивость работы транзисторных усилителей. Расчет фидерного устройства приемного тракта приемника.
курсовая работа, добавлен 29.06.2012Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Структурное проектирование устройства, выполняющего цифровую обработку информации. Основные характеристики выбранного микроконтроллера. Преобразователь ток-напряжение и интегрирующий усилитель.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Эффект увеличения мощности полезного сигнала при сравнительно точном сохранении его формы и спектрального состава. Методы анализа усилительных каскадов. Качество работы типовых усилительных каскадов с транзистором в роли активного электронного прибора.
реферат, добавлен 25.06.2009Обзор принципиальных схем транзисторных фильтров и проведение проектного расчета транзисторного фильтра с нагрузкой в центре эмиттера. Оценка уровня пульсации при изменениях нагрузки сети и определение коэффициента сглаживания разработанного фильтра.
курсовая работа, добавлен 12.08.2015История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат, добавлен 30.05.2014Описание физических процессов в полупроводниковой структуре, расчет необходимых электрофизических характеристик заданной структуры. Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее формирования.
курсовая работа, добавлен 16.04.2012- 22. Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом
Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа, добавлен 08.08.2007 - 23. Создание лазера на кристалле YAlO3 с диодной накачкой и исследование генерационных характеристик
Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
контрольная работа, добавлен 13.06.2012 Принцип работы и основные технические характеристики электромеханических измерительных приборов. Расчет и изготовление прибора для измерения параметров реле. Выбор типа регулирующего транзистора и его режима. Достоинства транзисторных стабилизаторов.
курсовая работа, добавлен 22.06.2010Использование для усиления узкополосных сигналов так называемых резонансных усилителей (ламповых и транзисторных). Разработка принципиальной электрической схемы усилителя сигнала с амплитудной модуляцией. Расчет характеристики, графика выходного сигнала.
курсовая работа, добавлен 17.12.2009