Квантовый выход светочувствительных структур полупроводник-металл-диэлектрик
Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл. Формула и реферат описания изобретения. Характеристика современных светодиодов, их устройство и работа. Разработка голубых светодиодов. Получение белого света с их помощью.
Подобные документы
Понятие дисперсии света. Нормальная и аномальная дисперсии. Классическая теория дисперсии. Зависимость фазовой скорости световых волн от их частоты. Разложение белого света дифракционной решеткой. Различия в дифракционном и призматическом спектрах.
презентация, добавлен 02.03.2016- 27. Диоды Шотки
Диод Шотки как полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником. Структура данного устройства, сферы и особенности его практического применения.
реферат, добавлен 29.04.2011 Изучение электропроводности твердых растворов ферритов. Анализ результатов опыта, которые позволяют утверждать, что в исследованных твердых растворах системы CoXMn1-XS реализуются переходы типа металл-диэлектрик как по температуре, так и по концентрации.
реферат, добавлен 21.06.2010Волновые и квантовые аспекты теории света. Теоретические вопросы интерференции и дифракции. Оценка технических возможностей спектральных приборов, дифракционной решетки. Методика определения длины волны света по спектру от дифракционной решетки.
методичка, добавлен 30.04.2014Значение света для жизни на Земле. Теории о развитии света. Характеристика волновых свойств света. Применение интерференции и дифракции света, представления о его природе. Фотонная молекула как новая форма материи, устройство среды ее существования.
презентация, добавлен 07.05.2015Анализ современных исследований неоднородных сверхпроводящих мезоструктур. Сущность и особенности решения проблемы влияния внешних границ на критическую температуру структур: сверхпроводник - нормальный металл (S/N) и сверхпроводник – ферромагнетик (S/F).
реферат, добавлен 26.06.2010Разработка блока питания в системе судового освещения и системы коммутации линий освещения на основе микропроцессорного блока. Выбор и расчет режимов работы освещения. Выбор светодиодов для судовых светильников стандартных типов, применяемых на судах.
дипломная работа, добавлен 07.06.2012Основные понятия люминесценции кристаллов. Квантовый и энергетический выход люминесценции. Способы возбуждения электролюминесценции. Влияние внешних электрических полей и высоких гидростатических давлений на характеристики галофосфатных люминофоров.
дипломная работа, добавлен 07.07.2015Основные положения модели Друде - классического описания движения электронов в металлах. Зомерфельдовская теория проводимости в металлах. Поведение и свойства металлов при температурах и давлениях близких к нормальным и давлении, близком к атмосферному.
курсовая работа, добавлен 24.12.2014Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
курсовая работа, добавлен 08.06.2011Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.
дипломная работа, добавлен 29.12.2014Электролюминесценция - результат излучательной рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике. Технология построения дисплейных панелей с использованием светодиодов из светоизлучающих органических материалов. Структура и характеристики OLED-технологий.
реферат, добавлен 06.05.2014Исследование спектров электролюминесценции, вольт-амперных и люкс-амперных характеристик "фиолетовых" и "желтых" светодиодов в температурном диапазоне 300-90 К. Анализ процессов токопереноса, генерации и рекомбинации носителей заряда в гетероструктурах.
контрольная работа, добавлен 11.08.2010Отклонение лучей призмой. Линзы, их элементы и характеристики. Интерференция света и условия интерференционных максимумов и минимумов. Получение когерентных пучков. Дифракция света и построение зон Френеля. Поляризация света при отражении и преломлении.
реферат, добавлен 12.02.2016Исследование психофизиологического воздействия светодиодного освещения и светодиодных светильников на организм человека. Преимущества применения стеклянных колб в сравнении с поликарбонатовыми. Основное расположение светодиодов в лампах общего назначения.
курсовая работа, добавлен 15.12.2014Свойства света, его физическая природа и взаимодействие с веществом. Получение изображений точечных источников света и протяженных предметов. Закон отражения, нахождение изображений при отражении света от различных типов зеркал. Закон преломление света.
реферат, добавлен 26.04.2010Парадокс Эйнштейна-Подольского-Розена, его сущность и значение. Получение перепутанных состояний путем параметрической генерации света. Пространственный перенос перепутанного состояния. Квантовая криптография на теореме Белла. Протокол Беннета-Брассарда.
курсовая работа, добавлен 28.04.2014Сущность нанотехнологии и ее место среди остальных отраслей знаний на логарифмической шкале размеров. Схематическое изображение фуллерена С60. Технологии изготовления светодиодов и светодиодных модулей. Перспективы развития нанотехнологий в будущем.
презентация, добавлен 13.03.2011Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.
контрольная работа, добавлен 11.02.2014Изучение зеркальных оптических и атмосферных явлений. Полное внутреннее отражение света. Наблюдение на поверхности Земли происхождение миражей, радуги и полярного сияния. Исследование явлений, возникающих в результате квантовой и волновой природой света.
реферат, добавлен 11.06.2014Особенности определения зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна. Определение на ней положения примесных акцепторных состояний EA и значений эффективных масс. Составление блока численных значений для основных параметров полупроводников.
контрольная работа, добавлен 23.12.2009Химические процессы, протекающие под действием видимого света и ультрафиолетовых лучей. Свойство камеры обскуры. Связь фотохимического превращения в веществах с поглощением света. Калотипный способ получения фотографического изображения, его развитие.
презентация, добавлен 29.03.2016Способы получения и анализа поляризованного света. Описание установки для получения информации об отражённом свете, ее схематическое изображение. Принципы метода эллипсометрии, его реализация при изучении показателя преломления прозрачных диэлектриков.
курсовая работа, добавлен 19.04.2012Механизмы поглощения энергии излучения в полупроводниках. Принцип действия полупроводниковых фотоприемников. Характеристики и параметры фотоприемников. Темновое сопротивление, чувствительность, спектральная характеристика, охлаждаемые фотодатчики.
контрольная работа, добавлен 29.08.2013Преобразование энергии бета распада в электрическую энергию с использованием твердотельных полупроводников. Определение областей применения радиоизотопных источников питания. Обоснование и выбор оптимального по радиоактивности и геометрии радиоизотопа.
дипломная работа, добавлен 20.05.2015