Квантовый выход светочувствительных структур полупроводник-металл-диэлектрик
Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл. Формула и реферат описания изобретения. Характеристика современных светодиодов, их устройство и работа. Разработка голубых светодиодов. Получение белого света с их помощью.
Подобные документы
Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
контрольная работа, добавлен 22.10.2009Малосигнальные характеристики высокочастотных графеновых транзисторов. Получение графена и попытки химического расслоения. Получение больших образцов. Предельные размеры структур. Кристаллическая структура материала. Физические свойства носителей.
презентация, добавлен 12.04.2014Исследование металлов, хорошо проводящих электрический ток. Полупроводники - твердые тела с промежуточной электропроводностью. Проявление различия полупроводников и металлов в характере зависимости электропроводности от температуры. Уравнение Шредингера.
реферат, добавлен 18.02.2009- 80. Полупроводники
Полупроводники n- и p-типа, методы получения и их зонные диаграммы. Основные и неосновные носители зарядов. Прохождение тока через полупроводники с разным типом проводимости. Виды транзисторных технологий, методика изготовления и область применения.
реферат, добавлен 28.07.2010 Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике при изменении типа проводимости. Определение дебаевской длины в собственном полупроводнике. Знаки нормальных и касательных напряжений. Градировочная таблица термопары платинородий-платина.
контрольная работа, добавлен 29.06.2012Явления оптической и термической перезарядки, их роль в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Особенности оптических переходов при наличии нескольких глубоких и мелких уровней в запрещённой зоне, в основном, при комбинированном возбуждении.
реферат, добавлен 22.06.2015Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.
презентация, добавлен 27.11.2015- 84. Радио
Итальянский инженер Г. Маркони - создатель первой успешной системы обмена информацией с помощью радиоволн (радиотелеграфии). Опыты по радиосвязи других ученых. Основные этапы истории изобретения радио. Принципы радиосвязи, устройство радиоприемника.
презентация, добавлен 06.03.2013 Электрические методы исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств полупроводников. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотопроводимость. Шумовые свойства фоторезисторов при совместном действии напряжения и фоновой засветки.
дипломная работа, добавлен 02.10.2015С ростом температуры кристалла за счет теплового расширения постоянная решетки увеличивается. Поэтому при повышении температуры у полупроводников, как правило, запрещенная зона уменьшается.
реферат, добавлен 22.04.2006Получение вращающего магнитного поля, работа статора. Пуск в ход однофазного асинхронного двигателя, его механическая характеристика и применение. Способ подключения трёхфазного двигателя в однофазную сеть, подбор и определение ёмкости конденсатора.
реферат, добавлен 20.05.2011Энергетические зоны в полупроводниках. Энергетическая диаграмма процесса переноса электрона с энергетического уровня в зону проводимости. Пример внедрения трехвалентного атома в решетку кремния. Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.
реферат, добавлен 26.08.2015Характеристики полупроводниковых материалов и источников излучения. Соединение источника с волокном. Конструкции одномодовых лазеров, особенности РБО-лазеров. Расчет параметров многомодового лазера с резонатором Фабри-Перо. Светоизлучающие диоды (СИД).
реферат, добавлен 11.06.2011Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений.
контрольная работа, добавлен 12.01.2012Понятие и общая характеристика, физическое обоснование динамики блоховского электрона. Его эффективная масса, зонная структура типичных полупроводников и плотность состояний. Принципы и описание главных этапов процесса заполнения электронных состояний.
презентация, добавлен 25.10.2015Исследование классификации, структуры и вольтамперной характеристики тиристора, полупроводникового прибора, выполненного на основе монокристалла полупроводника. Изучение принципа работы, таблеточной и штыревой конструкции корпусов тиристорных устройств.
курсовая работа, добавлен 15.12.2011Основы физики полупроводников, их энергетические зоны, уровни. Распределение носителей в зонах, их рекомбинация. Движение носителей и контактные явления в данных устройствах. Особенности контактов между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости.
контрольная работа, добавлен 19.08.2015Физико-химические свойства халькогенидных металлов и стеклообразных полупроводников. Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge2Sb2Te5. Использование халькогенидных стекол в качестве фоточувствительного материала для записи и хранения информации.
контрольная работа, добавлен 16.05.2016История изобретения ламп с металлическими нитями накала: первая практичная лампочка. Исследовательская работа Г. Гебеля, А. Лодыгина, Дж. Свана, Т. Эдисона и В. Кулиджа. Принцип действия, конструкция и долговечность современных ламп накаливания.
презентация, добавлен 07.01.2011Строение, электрические свойства полупроводников и их отличия от металлов. Собственная и примесная проводимость. Полупроводниковые приборы: диод, фотодиод, транзистор, термистор. Коэффициент тепловой связи. Статические вольт-амперные характеристики.
курсовая работа, добавлен 15.02.2014Виды фотоэлектрического эффекта. Внутренний и вентильный фотоэффект. Вольт-амперная его характеристика. Закон Столетова. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта. Экспериментальное подтверждение квантовых свойств света. Масса и импульс фотона.
реферат, добавлен 24.06.2015Видимое излучение и теплопередача. Естественные, искусственные люминесцирующие и тепловые источники света. Отражение и преломление света. Тень, полутень и световой луч. Лунное и солнечное затмения. Поглощение энергии телами. Изменение скорости света.
презентация, добавлен 27.12.2011Применение интерференции для проверки качества обработки поверхностей, "просветления" оптики, измерения показателя преломления веществ. Принцип действия интерферометра. Многолучевая интерференция света. Получение изображения объекта с помощью голографии.
реферат, добавлен 18.11.2013Основные свойства полупроводников. Строение кристаллов. Представления электронной теории кристаллов. Статистика электронов в полупроводниках. Теория явлений переноса. Гальваномагнитные и термомагнитные явления. Оптический свойства полупроводников.
книга, добавлен 21.02.2009