Основные материалы микроэлектроники, применяемые в процессе ее развития
Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.
Подобные документы
Исследование зарождения и этапов развития твердотельной электроники. Научные открытия Майкла Фарадея, Фердинанда Брауна (создание беспроволочной телеграфии). Кристаллический детектор Пикарда - "кошачий ус". Разработка детектора-генератора О.В. Лосевым.
реферат, добавлен 09.12.2010Современная микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, при которой каждый элемент схемы формируется отдельно в полупроводниковом кристалле. Повышение степени интеграции микросхем и уменьшение размеров элементов.
реферат, добавлен 30.12.2008Мировые тенденции развития сетей телефонной связи. Требования к мультисервисной сети. Основные идеи, применяемые при внедрении NGN. Преимущества сети следующего поколения; услуги, реализуемые в ней. Адаптация систем доступа для работы в пакетной сети.
презентация, добавлен 06.10.2011Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009- 30. Исследование нелинейно-оптических процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников
Кремний как материал современной электроники. Способы получения пористых полупроводников на примере кремния. Анализ процесса формирования, методов исследования, линейных и нелинейных процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014 Солнечная батарея как объект моделирования. Общие принципы построения и отладки математической модели солнечных батарей. Кристаллические полупроводниковые материалы. Рекомендации по построению фотоэлектрических систем космического и наземного назначения.
автореферат, добавлен 20.05.2012Установка для трафаретной печати. Изготовление микрополосковых плат по толстопленочной технологии. Процессы обеспечения электрических контактов. Сварка плавлением. Задачи и принципы микроэлектроники. Особенности полупроводниковых интегральных микросхем.
реферат, добавлен 15.12.2015Исследование тенденций развития телекоммуникационных и сетевых информационных технологий. Распределенные сети на оптоволокне. Интерактивные коммерческие информационные службы. Интернет, электронная почта, электронные доски объявлений, видеоконференции.
реферат, добавлен 28.11.2010Создание интегральных схем и развитие микроэлектроники по всему миру. Производство дешевых элементов электронной аппаратуры. Основные группы интегральных схем. Создание первой интегральной схемы Килби. Первые полупроводниковые интегральные схемы в СССР.
реферат, добавлен 22.01.2013Развитие микроэлектроники и освоение производства интегральных микросхем. Применение микроконтроллеров и микроэлектронных генераторов импульсов. Разработка электрической и принципиальной схем устройства. Анализ временных соотношений и погрешностей.
курсовая работа, добавлен 22.10.2009Понятие плазмы как среды, содержащей кроме нейтральных частиц заряженные (обоих знаков) и отвечающей условию квазинейтральности. Температура частиц, причины неравновесности, условия существования. Роль плазменных процессов в технологии микроэлектроники.
презентация, добавлен 02.10.2013- 37. Полупроводники
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2015 Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.
реферат, добавлен 26.01.2013Основные преимущества волноводно-щелевых антенн для излучения энергии во внешнее пространство. Описание принципиальной конструкции и структурного построения проектируемого устройства. Материалы и расчет основных и вспомогательных конструктивных элементов.
курсовая работа, добавлен 30.09.2013Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Температура — важнейший параметр всех технологических процессов. Основные группы методов измерения, различаемые в зависимости от диапазона измеряемых температур. Манометрические термометры, их виды. Конструкции и материалы для изготовления термопар.
презентация, добавлен 14.10.2013Место и роль плазмохимических процессов в технологии микроэлектроники. Формирование эффектов взаимодействия плазмы с обрабатываемой поверхностью под действием на нее потоков активных частиц плазмы. Процессы образования и гибели активных частиц плазмы.
презентация, добавлен 02.10.2013Роль микроконтроллерных технологий в развитии микроэлектроники. Алгоритм разработки микропроцессорной системы термометр-часы на базе микроконтроллера PIC16F84A. Разработка схемы электрической принципиальной устройства и программы для микроконтроллера.
курсовая работа, добавлен 19.03.2012Теоретические основы работы светоизлучающих диодов, области их применения, устройство и требования к приборам. Полупроводниковые материалы, используемые в производстве светоизлучающих диодов: арсенид и фосфид галлия. Основные параметры светодиода.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Классификация типов, основные характеристики, параметры, история создания, принцип работы, устройство и применение светодиодов, материалы для их изготовления. Светодиоды оранжевого свечения на базе AlInGaP, GaAsP и GaP. Расчет конструкции светодиода.
курсовая работа, добавлен 26.10.2014Механические напряжения в материале при гибке. Технологичность деталей, получаемых вытяжкой, основные требования. Материалы для штампованных деталей. Экранирование проводов, кабелей. Фильтрующие цепи. Устранение паразитной взаимоиндукции между дросселями.
реферат, добавлен 21.11.2008Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.
курсовая работа, добавлен 30.10.2011Электронные средства базируются на ламповой технике и блочном методе компоновки и монтажа. Системный подход базируется на взаимосвязи с окружающими объектами. Основные положения и принципы системного подхода. Компоновка в радиоэлектронной аппаратуре.
реферат, добавлен 13.09.2010Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа, добавлен 30.04.2011Конструкции МДП-транзисторов (металл - диэлектрик – полупроводник) в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Материалы, используемые в качестве диэлектрика. Применение поликремниевых затворов транзисторов. Преимущество диэлектрической подложки.
реферат, добавлен 22.02.2009