Технология структур кремния на изоляторе
Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
Подобные документы
Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа, добавлен 28.04.2013Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа, добавлен 25.01.2013Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Паяные электрические соединения: применение, критерии объективной оценки их качества. Конструкция паяных электромонтажных соединений. Технология изготовления основы жесткого магнитного диска, состав ферролака. Виды и назначение коммутационных устройств.
контрольная работа, добавлен 29.07.2010Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа, добавлен 14.03.2014Комплекс материалов, использующихся на предприятии ККБ "Искра" для изготовления различных элементов СВЧ и микросборок. Способы компоновки изделий на производстве. Получение рисунка плат и ознакомление с системами автоматизированного проектирования.
отчет по практике, добавлен 08.05.2009Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
дипломная работа, добавлен 07.06.2011Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций, добавлен 11.01.2013Технологический процесс гибридных микросхем. Процессы формирования на подложках пассивных пленочных элементов и проводников соединений. Контроль пассивных элементов на подложках. Технология получения ситалла. Резка слитков и ломка пластин на платы.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Принцип работы оптического волокна, основанный на эффекте полного внутреннего отражения. Преимущества волоконно-оптических линий связи (ВОЛС), области их применения. Оптические волокна, используемые для построения ВОЛС, технология их изготовления.
реферат, добавлен 26.03.2019Понятие и виды топологий систем. Принцип действия и преимущества оптоволоконного кабеля и витой пары. Архитектурная и телекоммуникационная стадии проектирования структурированной кабельной системы административного здания компании "Технология Плюс".
дипломная работа, добавлен 13.09.2014Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа, добавлен 13.07.2008Выбор материалов для изготовления интегрального усилителя. Расчет режима базовой диффузии, профиля распределения примеси в эмиттерной области, окисления при получении диэлектрических карманов и диэлектрической пленки, для создания защитной маски.
курсовая работа, добавлен 09.09.2014Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат, добавлен 20.12.2013Разработка блок-схемы рабочей станции для сбора и обработки данных, кодирования и декодирования сигналов. Основные элементы системы. Проектирование и технология изготовления печатной платы, монтаж, контроль изготовления. Среда программирования LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 11.02.2017Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Создание систем на кристалле. Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей. Применение принципа собственной компенсации. Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки. Структурная оптимизация дифференциальных каскадов.
магистерская работа, добавлен 05.03.2011Физика нанопроводов, их классификация и способы получения. Примеры получения нонопроводов из конкретных материалов. Нанопровода из оксида марганца в качестве электродов аккумуляторной батареи. Особенности применения нанопроводов из оксида титана.
реферат, добавлен 19.01.2015Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.
реферат, добавлен 13.06.2009Конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных БИС на гибком полиимидном носителе. Бескопрусная технология как реализация минимизации площади. ТАВ-технология и бескорпусная защита ИМС, смонтированных на полиимидных носителях.
реферат, добавлен 13.06.2012Особенности применения: автоколлимационной трубы, динаметров, прибора Юдина, апертометра Аббе. Широкоугольные коллиматоры. Параметры гониометра. Ошибки изготовления оптических деталей приборов и их влияние на отклонение параметров оптических систем.
реферат, добавлен 12.12.2008- 75. Конструирование и технология изготовления звукового сигнализатора отключения сетевого напряжения
Выбор элементной базы и технологии изготовления, сборки и монтажа устройства для подачи акустических сигналов с определенной частотой сразу же после пропажи напряжения в сети. Поэлементный расчет и порядок проектирования конструкции данного устройства.
курсовая работа, добавлен 19.09.2010