Технология структур кремния на изоляторе
Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
Подобные документы
Назначение и классификация полупроводниковых приборов, особенности их применения в преобразователях энергии и передаче информации. Система обозначений диодов и тиристоров, их исследование на стенде. Способы охлаждения расчет нагрузочной способности.
дипломная работа, добавлен 28.09.2014Анализ схемотехнических решений мультиметров, рассмотрение принципов работы устройства для проверки элементов, разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Меры безопасности при техническом обслуживании средств вычислительной техники.
дипломная работа, добавлен 11.01.2015Основные параметры двенадцатипульсного составного управляемого выпрямителя с параллельным включением для получения выпрямленного тока. Выбор защиты тиристоров от перегрузок по току и напряжению. Расчет элементов триггера Шмидта и блока синхронизации.
курсовая работа, добавлен 31.01.2011Расчет и проектирование управляемого формирователя импульсов, используя заданные входные и выходные параметры. Структурная схема управляемого формирователя импульса и расчет его конструктивных частей: усилителя, мультивибратора, цифрового устройства.
контрольная работа, добавлен 20.10.2011Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.
учебное пособие, добавлен 25.03.2009Свойства аналоговых сигналов. Речевые звуковые вибрации. "Аналоговое" преобразование сигнала. Понятие цифрового сигнала и полосы пропускания. Аналоговые приборы. Преобразователи электрических сигналов. Преимущества цифровых приборов перед аналоговыми.
реферат, добавлен 20.12.2012Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.
контрольная работа, добавлен 15.11.2012Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат, добавлен 03.02.2011Методы и способы расчета управляемого выпрямителя по схеме с нулевым диодом, системы амплитудно-импульсного управления, источника питания, который включен в схему СИФУ. Обоснование выбора элементов. Разработка защиты устройства от аварийных режимов.
курсовая работа, добавлен 02.02.2011Методы измерения дневных и ночных приборов, требования к углу поля зрения и предельному значению разрешения прибора. Фокусирование прибора на заданную деятельность и обеспечение диапазона дальности. Проверка приборов с окуляром типа "микроскоп" и "лупа".
реферат, добавлен 29.09.2009Оптимизация конструкции охладителя для полупроводниковых приборов. Расчет и построение тепловых характеристик охладителя для естественного и принудительного воздушного охлаждения радиатора. Исходные данные, параметры и тепловой режим работы охладителя.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Компоненты узлов оптических систем и их соединение. Сборка и юстировка оптических приборов. Материалы, применяемые для соединения. Оптические клеи и бальзамы. Технология соединения оптических деталей. Подготовка, сортировка и комплектация деталей.
реферат, добавлен 23.11.2008Физические основы и средства радионуклидной интроскопии. Использование радиоактивных изотопов в медицине для диагностики и терапии. Технология изготовления сцинтилляционных кристаллов. Устройство и важнейшие аналоговые узлы эмиссионного томографа.
реферат, добавлен 13.01.2011Технология изготовления полупроводниковой микросхемы, ее виды. Электронное устройство для расшифровки сообщений, передаваемых условными сигналами и перевода информации на язык воспринимающей системы. Пример дешифратора для пятиразрядного двоичного кода.
курсовая работа, добавлен 28.04.2015Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора; классификация, схемы включения, вольт-амперные характеристики. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми приборами. Определение рабочей точки, технология изготовления, применение.
презентация, добавлен 14.11.2014Общая характеристика и разновидности радиотехнических устройств СВЧ-диапазона, сферы и особенности их применения. Электрический и конструктивный расчет: кольцевого и шлейфного моста, бинарного делителя мощности. Технология изготовления устройства.
курсовая работа, добавлен 08.05.2011Разработка и изготовление волоконно-оптического кабеля, решение проблем электротехники, материаловедения и технологии. Теоретические основы функционирования, конструкция оптических волокон, материалы, характеристики и параметры, технология изготовления.
реферат, добавлен 27.11.2009Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015- 119. Цифровая электроника
Системы счисления в цифровых устройствах. Теоремы, логические константы и переменные операции булевой алгебры. Назначение, параметры и классификация полупроводниковых запоминающих устройств, их структурная схема. Процесс аналого-цифрового преобразования.
курсовая работа, добавлен 21.02.2012 Схема управляемого выпрямителя. Основные параметры выпрямителя в управляемом режиме. Выбор защиты тиристоров от перегрузок по току и напряжению. Расчет стабилизатора напряжения, выпрямителей. Моделирование выпрямителя, расчет источника питания.
курсовая работа, добавлен 02.02.2011Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция, добавлен 17.02.2011Признаки открытой магистрально-модульной системы. Основные группы открытых стандартов и протоколов ОММС. Структура и принципы работы шин. Электронные схемы шинного интерфейса. Конструктивное исполнение магистралей. Промышленные сети передачи данных.
презентация, добавлен 06.08.2013Принципиальная схема и параметры составных элементов устройства для контроля отклонения от номинального значения неэлектрической величины. Выбор измерительного преобразователя: принцип действия, характеристика, конструктивное исполнение и применение.
курсовая работа, добавлен 12.05.2012Схема управляющей системы, магистрально-модульный принцип построения. Требования к аппаратным средствам. Структура и принципы работы шин, параметры, определяющие их архитектуру. Конструктивное исполнение магистралей. Промышленные сети передачи данных.
методичка, добавлен 14.10.2013- 125. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа, добавлен 09.11.2010