Полупроводниковые лазеры
Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
Подобные документы
- 26. Фотодиод
Приёмник оптического излучения. Структурная схема фотодиода. Зависимость выходного напряжения от входного тока, фототока от освещённости. Сопротивление фотодиода в отсутствие освещения. Обеспечение чувствительности в длинноволновой части спектра.
презентация, добавлен 09.04.2014 - 27. Проектирование системы управления модулятором добротности лазера с импульсной модуляцией добротности
Структура лазера с импульсной модуляцией добротности. Расчет первого и второго ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (строб задержки и работы). Схема ключа с резистивно-емкостной связью. Применение мультивибраторов с коллекторно-базовыми связями.
курсовая работа, добавлен 28.12.2014 Источники излучения и промежуточная среда. Физическая природа излучения источника, собственное и отраженное излучение. Функции оптической системы. Приемники излучения (определение и классификация). Усилитель и другие элементы электронного тракта.
реферат, добавлен 10.12.2008Система определения координат движущихся объектов с лазерным сопровождением. Прецезионные дальномеры на основе двухволнового инжекционного лазера. Методы определения координат (целеуказания) и наведения на объект лазерного пучка с заданной точностью.
реферат, добавлен 14.12.2014Оптические дисковые системы. Излучение полупроводникового лазера. Измерение ошибки фокусировки по методу ножа Фуко. Характеристика сигнала расфокусировки. Передаточные функции звеньев. Схема датчика положения. Привод головки с подвижной катушкой.
курсовая работа, добавлен 07.02.2011Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.
лекция, добавлен 19.11.2008Принцип работы и устройства варикапа. Характеристики р-n-перехода полупроводникового диода. Вольтамперные характеристики p-n перехода. Физическая природа емкости полупроводникового диода (варикапа). Зависимость барьерной емкости от постоянного напряжения.
курсовая работа, добавлен 15.02.2016Описание конструкции оптического квантового генератора типа ЛГ-75. Методы юстировки, их характеристика. Оценка критического угла разъюстировки для одного из гелий-неоновых лазеров. Юстировка с помощью диоптрийной трубки, особенности данного процесса.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2014Особенности передачи сигналов по оптическому кабелю, распространение излучения по световоду. Частотные и временные, собственные и частные характеристики оптического кабеля. Диаграмма излучения и поглощения энергии в световоде. Искажения сигналов.
реферат, добавлен 20.02.2011Терморезисторы (термисторы) - полупроводниковые резисторы с нелинейной вольтамперной характеристикой, имеющие зависимость электросопротивления от температуры. Исследование зависимости повышения температуры в терморезисторе от повышения токов и напряжений.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Порівняльні характеристики лазерів і СВД. Вихідна діаграма випромінення. Спектральна ширина лазера. СВД з мікролінзою і з'єднувачем. Специфіковані вихідні потужності для кожного з варіантів підключення джерела. Приймальні пристрої: функції, використання.
контрольная работа, добавлен 20.11.2010Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Оценка возможностей прямого измерения распределения ядерных частиц по энергиям, условия применения для этих целей полупроводникового гамма-спектрометра. Устройство и принцип действия спектрометра, его основные составные части. Аппаратурная форма линии.
курсовая работа, добавлен 12.05.2010Понятие и виды ионизирующего излучения. Приборы, измеряющие радиационное излучение, и принцип работы счётчика Гейгера. Основные узлы и структурная схема прибора. Выбор и обоснование элементной базы. Проектирование принципиальной схемы в САПР OrCAD.
дипломная работа, добавлен 30.04.2014В работе рассмотрена тема характера воздействия помех на работу систем и принципов их защиты. Разделение помех на группы: шумы, мешающие излучения и мешающие отражения. Помехи и их классификация. Спектр шумов. Теория обнаружения. Функции времени.
реферат, добавлен 21.01.2009Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (полупроводниковые приборы). Классификация полупроводниковых приборов по назначению и принципу действия, типу материала, конструкции и технологии, применению.
реферат, добавлен 17.03.2011Предельные эксплуатационные параметры полупроводникового прибора КД409А. Поиск напряжения пробоя транзистора. Электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора. Полупроводниковые диоды, их виды, конструкция и параметры.
контрольная работа, добавлен 22.03.2015Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.
контрольная работа, добавлен 02.12.2010Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция, добавлен 20.01.2010Полупроводниковый диод и его применение. Р-n-переход при внешнем напряжении, приложенном к нему. Полупроводниковые диоды, их вольтамперные характеристики. Параметры и структура стабилитронов, их маркировка и переходные процессы. Емкость p-n перехода.
контрольная работа, добавлен 12.02.2016Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Назначение разрабатываемого устройства (детектора высокочастотного излучения) для оперативного обнаружения радиоизлучающих подслушивающих устройств промышленного шпионажа. Технические требования к устройству, его патентной чистоте и условиям эксплуатации.
дипломная работа, добавлен 12.12.2010Использование громкоговорителя прямого излучения для преобразования механических колебаний в акустические. Особенности устройства диффузора. Излучение пульсирующей сферы. Формула звукового давления. Зависимость коэффициента направленности от угла.
контрольная работа, добавлен 16.11.2010Обоснование способа и силовой схемы регулирования выпрямленного напряжения. Расчет параметров управляемого выпрямителя и выбор типа силовых полупроводниковых приборов. Анализ работы управляемого выпрямителя. Система импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 31.03.2018Методы достижения кратковременного состояния невесомости. Единицы измерения поглощенной дозы радиоактивного излучения, его источники. Радиационная стойкость конденсаторов. Устройство гетерогенного ядерного реактора. Защитные устройства от гамма-излучения.
реферат, добавлен 25.01.2009