Полупроводниковые лазеры
Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
Подобные документы
Обзор методов измерения физической величины и их сравнительный анализ. Принцип действия фотоэлектрических преобразователей. Избыточный коэффициент усиления. Источники погрешностей от приемников излучения. Погрешности от нестабильности условий измерений.
курсовая работа, добавлен 06.12.2014Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа, добавлен 24.11.2013Существующие технологии производства электролюминофоров. Спектры электролюминесценции ЭЛФ ZnS:Cu,Mn при возбуждении 350 В, 400 Гц, в твердом диэлектрике. Спектры излучения большинства кристаллофосфоров.
статья, добавлен 28.03.2007Определение затухания (ослабления), дисперсии, полосы пропускания, максимальной скорости передачи двоичных импульсов в волоконно-оптической системе. Построение зависимости выходной мощности источника оптического излучения от величины электрического тока.
контрольная работа, добавлен 21.06.2010Симметричный электрический вибратор в свободном пространстве. Мощность излучения симметричного вибратора. Система из двух связных вибраторов, направленные свойства. Расчёт тока в пассивных вибраторах. Директорные антенны, питание вибраторных антенн.
курсовая работа, добавлен 27.10.2011Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.
курсовая работа, добавлен 31.05.2014Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.
презентация, добавлен 24.05.2014Назначение, устройство и принцип действия счетчика Гейгера-Мюллера. Основные физические закономерности работы, восстановление работоспособности после регистрации частицы, дозиметрические и счетные характеристики датчиков ионизирующего излучения.
реферат, добавлен 31.10.2011Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа, добавлен 16.05.2013- 85. Расчет антенны
Волновое сопротивление диполя. Длина плеча вибратора. Сопротивление диполя для трех длин волн. Максимально допустимая мощность, пропускаемая фидером. Диаграмма направленности антенны. Определение нулевых направлений излучения. Высота подвеса над землей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2011 Тенденции к миниатюризации и переходу к нанометровым размерам в современной электронике. Физические основы зондовой нанотехнологии. Методы формирования нанорельефа. Совместное использование лазера и сканирующего электронного микроскопа в нанолитографии.
реферат, добавлен 14.01.2017Телефонные аппараты и рычажный переключатель. Изменения тока в цепи для цифр номера "13" при импульсном наборе. Величина телефонной нагрузки. Число каналов в пучке при скоростной системе эксплуатации. Коммутационные параметры для двухзвенного блока.
контрольная работа, добавлен 25.11.2010Модель волоконно-оптической системы передачи. Классификация оптоэлектронных компонентов. Детекторы светового излучения. Оптические разъемы, сростки и пассивные оптические устройства. Определение функциональных параметров, типы и вычисление потерь.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Проектирование системы для проведения углубленных криминалистических исследований документов и других вещественных доказательств, оценка ее возможностей и функций. Особенности системы при импульсном режиме работы. Описание программного обеспечения.
реферат, добавлен 21.06.2016Современные стабилизированные источники вторичного электропитания. Схема выпрямителя и характер нагрузки. Уменьшение величины пульсации выпрямленного напряжения. Структурная схема стабилизатора. Компенсационные стабилизаторы постоянных напряжений и токов.
курсовая работа, добавлен 02.01.2011Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция, добавлен 15.03.2009Понятие и сущность пространственного сигнала в дальней зоне источника излучения. Принципы и характеристика пространственно-временной эквивалентности обработки сигналов. Случайный пространственный сигнал, его характеристика и особенности. Отражение шума.
реферат, добавлен 28.01.2009Объекты в космосе, излучающие в радиодиапазоне. Цель изучения космических радиоволн. Исследование космического излучения с поверхности Земли. Радиоинтерферометрия со сверхдлинной базой. Характеристики и свойства радиотелескопа. Проект "Радиоастрон".
контрольная работа, добавлен 18.05.2014Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
лабораторная работа, добавлен 31.10.2009Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Дослідження тенденцій розвитку волоконних лазерів та їх використання у різних галузях. Розрахунок спектральних характеристик, просторових та енергетичних параметрів волоконного лазера. Вивчення оптичних волокон з гауівським профілем показника замовлення.
курсовая работа, добавлен 20.05.2011Основные характеристики счетчиков. Микроконтроллер в пошаговом режиме работы и в режиме внешнего доступа. Структуры микроконтроллеров серии 1816 и их системы команд. Работа двоичного счетчика с последовательным переносом на примере микросхемы 155ИЕ5.
реферат, добавлен 29.09.2012Выбор диапазона углов необходимых для работы лазера. Численное исследование пространственно–энергетических характеристик двух низших по потерям поперечных мод волноводного диэлектрического резонатора от изменения угла раскрыва конического зеркала.
дипломная работа, добавлен 19.07.2013Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа, добавлен 27.07.2013Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009